| 主权项 |
1.一种半导装置,其在蓝宝石(Al2O3)所制成的基材之 一例上具有由III-V族化合物之氮化物系统半导体 所制成之半导体层,其中该氮化物系统半导体包含 至少一种选自III族元素之元素及选自V族元素之氮 化物,其包含: 该半导体层,其包含一具有由III-V族化合物之氮化 物系统半导体结晶所制成之晶质部份及开口部份 的第一结晶层及以覆盖第一结晶层之晶质部份的 方式所提供的第二结晶层;及 该基材,其在对应于第一结晶层之开口部份的区域 中有凹陷部份。2.如申请专利范围第1项之半导体 装置,其中该基材之凹陷部份的深度系等于或超过 100毫微米。3.如申请专利范围第2项之半导体装置, 其中该基材之凹陷部份的深度系等于或超过200毫 微米。4.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中 基材之凹陷部份的底面与半导体层彼此疏离。5. 如申请专利范围第1项之半导体装置,其中晶质部 份的宽度长系小于4微米,而且开口部份的宽度长 系等于或小于12微米。6.如申请专利范围第5项之 半导体装置,其中开口部份的宽度长系超过8微米 。7.如申请专利范围第5项之半导体装置,其中晶质 部份的宽度长系超过2微米。8.如申请专利范围第1 项之半导体装置,其中半导体层另外具有活性层, 该活性层具有对应于开口部份之辐射区。9.如申 请专利范围第8项之半导体装置,其中第二结晶层 包含一藉侧向生长所形成的会合区;及 该活性层具有对应于晶质部份与会合区间之区域 的辐射区。10.一种藉增长III-V族化合物之氮化物 系统半导体而形成之半导体装置的制造方法,其中 该氮化物系统半导体包含至少一种选自III族元素 之元素及选自V族元素之氮化物(N),其包括下列步 骤: 在基材上藉由III-V族化合物之氮化物系统半导体 结晶的生长形成生长层; 藉选择性地除去生长层以形成开口而形成具有晶 质部份及开口部份之第一结晶层; 藉选择性地除去对应于基材之第一结晶层之开口 部份的区域以形成可畅通地与基材上之开口部份 相连接的凹陷部份;以及 藉从第一结晶层的晶质部份增长III-V族化合物之 氮化物系统半导体结晶以形成第二结晶层。11.如 申请专利范围第10项之半导体装置之制造方法,其 中在基材上形成深度等于或超过100毫微米之凹陷 部份。12.如申请专利范围第10项之半导体装置之 制造方法,其中在形成第一结晶层的步骤中,该开 口系以晶质部份之宽度长系小于4微米,而且开口 部份之宽度长系等于或小于12微米的方式形成的 。13.如申请专利范围第10项之半导体装置之制造 方法,包括一形成活性层之步骤,其该活性层具有 对应于从开口部份与晶质部份间之界面至开口部 份一半宽度之区域的辐射区。14.如申请专利范围 第13项之半导体装置之制造方法,其中形成一活性 层而且该活性层具有对应于从开口部份与晶质部 份间之界面至开口部份之四分之一宽度之区域的 辐射区。图式简单说明: 图1(图1A-图1C)系描述与本发明第一个具体实例有 关之半导体雷射二极体之制造程序的断面图; 图2(图2A-图2D)系描述延续图1之制造程序的断面图; 图3A系描述延续图2之制造程序的断面图; 图3B系概要地表示在图3A之制造程序中产生渗透性 错位之状态图; 图4系表示制造惯用半导体雷射二极体时产生渗透 性错位之状态的概要图; 图5系描述延续图5之制造程序的断面图并显示出 本发明第一个具实例之相关半导体雷射二极体的 主要部份; 图6A系表示图5中所示半导体雷射二极体之光放射 强度的概要图。 图6B系表示惯用半导体雷射二极体之光放射强度 的概要图。 图7系描述适当地选择图5中所示半导体雷射二极 体之晶质部份及开口部份的宽度之优点的断面图 。 图8系为本发明实例1中所获得之半导体雷射二极 体的X射线绕射所获得的locking curb。 图9系为本发明实例2中所获得之半导体雷射二极 体的X射线绕射所获得的locking curb。 图10系为本发明实例3中所获得之半导体雷射二极 体的X射线绕射所获得的locking curb。 图11系为对照实例中所获得之半导体雷射二极体 的X射线绕射所获得的locking curb。 图12系以SEM所取得图片,其显示本发明实例3中所获 得之半导体雷射二极体之n侧接触层的结晶状态; 图13系表示图5中所示半导体雷射二极体之改良品 之相关半导体雷射二极体的构造断面图。 图14系为图13所显示之半导体雷射的一部分之断面 放大图。 |
