| 主权项 |
1.一种配线基板,其包含: 2层以上的配线层; 绝缘层,系设于前述配线层之间,且含有有机树脂; 以及 通孔,系用以连接前述配线层彼此而设于绝缘层中 ; 前述通孔,系含有周围存在着空隙之复数的机能性 物质; 该空隙包含:第一空隙,其中至少存在着来自前述 绝缘层之有机树脂;以及,第二空隙,其中存在着气 体。2.如申请专利范围第1项之配线基板,其中: 前述第二空隙系选择性地设于呈凝集之机能性物 质的存在部位。3.如申请专利范围第2项之配线基 板,其中: 前述第二空隙,具有较机能性物质当中之至少形成 凝集部位之复数的机能性物质个别的平均容积为 小的平均容积。4.如申请专利范围第1项之配线基 板,其中: 前述机能性物质系1个以上的导电性填料; 前述绝缘层系由:于有机或无机之织布含浸前述有 机树脂所得之复合材料、或是于有机或无机之不 织布含浸前述有机树脂所得之复合材料;所构成。 5.如申请专利范围第1项之配线基板,其中: 前述机能性物质系1个以上的导电性填料; 前述绝缘层系由含有有机或无机之填料以及前述 有机树脂之复合材料所构成。6.一种配线基板,其 包含: 2层以上的配线层; 绝缘层,系设于前述配线层之间;以及 通孔,系用以连接前述配线层彼此而设于绝缘层中 ; 前述绝缘层含有: 薄膜;以及 接着剂层,其设于薄膜之至少单面上,且含有接着 剂; 前述通孔系含有: 机能性物质;以及 前述接着剂层内之接着剂,系以进入该机能性物质 之周围的空隙的方式存在。7.如申请专利范围第6 项之配线基板,其中: 前述空隙包含: 第一空隙,其中至少存在有前述接着剂;以及 第二空隙,其中存在着气体。8.如申请专利范围第7 项之配线基板,其中: 前述机能性物质形成凝集状态; 前述第二空隙,系选择性地设于前述机能性物质中 之凝集部位。9.如申请专利范围第8项之配线基板, 其中: 前述第二空隙之平均容积,较至少形成凝集部位之 复数的机能性物质之个别的平均容积为小。10.如 申请专利范围第6项之配线基板,其中: 在前述通孔中前记机能性物质所占的体积分率在 30%以上。11.一种配线基板之制造方法,其包含: 第一制程,系将机能性物质填入设于绝缘基材(含 有机树脂)的通孔内,同时,去除机能性物质之一部 分来形成存有空隙的通孔;以及 第二制程,系让前述空隙形成为:第一空隙,其中至 少存在着来自前述绝缘层之有机树脂;以及,第二 空隙,其中存在着气体。12.如申请专利范围第11项 之配线基板之制造方法,其中: 在前述第二制程中,系让前述机能性物质呈凝集状 态,且让前述第二空隙对于前述机能性物质的凝集 部位进行选择性设置。13.如申请专利范围第11项 之配线基板之制造方法,其中: 在前述第二制程中,系让前述第二空隙的平均容积 较至少形成凝集部位的复数之机能性物质的平均 容积为小。14.一种配线基板之制造方法,其包含: 第一制程,系对设在绝缘基材(于薄膜之至少单面 形成接着剂层(含有接着剂))的通孔,填入机能性物 质来形成存有空隙的通孔;以及 第二制程,系让前述接着剂层的接着剂渗入前述通 孔的空隙。15.如申请专利范围第14项之配线基板 之制造方法,其中: 在前述的第二制程中,系让前述接着剂选择性渗入 前述空隙。16.如申请专利范围第15项之配线基板 之制造方法,其中: 在前述第二制程中,系对凝集状态之前述机能性物 质选择性渗入前述接着剂,以形成渗入有接着剂之 第一空隙及存在着气体之第二空隙。17.如申请专 利范围第16项之配线基板之制造方法,其中: 在前述的第二制程中,系让前述第二空隙的平均容 积较至少形成凝集部位的复数之机能性物质个别 的平均容积为小。18.如申请专利范围第11项之配 线基板之制造方法,其中: 在前述的第一制程中,前述机能性物质系由1个以 上的导电性填料所构成,将该导电性填料与有机结 合剂所构成之导电胶填入前述通孔内,然后去除前 述导电胶之有机结合剂之至少一部份。19.如申请 专利范围第18项之配线基板之制造方法,其中: 前述有机结合剂系含有挥发成份,将前述挥发成分 气化以去除前述有机结合剂之至少一部分。20.如 申请专利范围第18项之配线基板之制造方法,其中: 系吸引前述有机结合剂将前述有机结合剂之至少 一部分去除。21.如申请专利范围第11项之配线基 板之制造方法,其中: 在前述第一制程中,前述机能性物质系由1个以上 的导电性填料所构成,而将该导电性填料填入前述 通孔。22.如申请专利范围第21项之配线基板之制 造方法,其中: 前述导电性填料系将导电性粒子造粒所得之造粒 体。23.如申请专利范围第11项之配线基板之制造 方法,其中: 系具有一制程,藉配置于绝缘基材两面的金属导体 往绝缘基材的厚度方向加压,以让有机树脂渗入第 一空隙。24.如申请专利范围第14项之配线基板之 制造方法,其中: 系藉配置于绝缘基材两面的金属导体往绝缘基材 的厚度方向加压,以让接着剂渗入通孔之空隙。25. 如申请专利范围第11项或第14项之配线基板之制造 方法,其中: 前述金属导体为金属箔或是配线图案。图式简单 说明: 图1(a)为有关本发明之最佳实施形态之配线基板之 制造的第一制程之概略截面图。 图1(b)为前述实施形态之第二制程之概略截面图。 图1(c)为前述实施形态之第三制程之概略截面图。 图1(d)为前述实施形态之第四制程之概略截面图。 图2为图1的配线基板之截面图。 图3为用液体吸收体由导电胶吸取出结合剂的构成 图。 图4(a)为以转印法制造两面配线基板的第一制程之 截面图。 图4(b)为以转印法制造两面配线基板的第二制程之 截面图。 图5(a)为制造4层配线基板的第一制程之截面图。 图5(b)为制造4层配线基板的第二制程之截面图。 图6(a)为在本发明之其他实施形态中,空隙全部为 树脂所渗入之配线基板的截面图。 图6(b)为相应于第6图(a),有部分空隙残留的配线基 板的截面图。 图7(a)为制造图6之配线基板的第一制程之概略截 面图。 图7(b)为制造图6之配线基板的第二制程之概略截 面图。 图7(c)为制造图6之配线基板的第三制程之概略截 面图。 图7(d)为制造图6之配线基板的第四制程之概略截 面图。 图8(a)为制造本发明之又一实施形态的配线基板中 之第一制程的截面图。 图8(b)为制造本发明之又一实施形态的配线基板中 之第二制程的截面图。 图8(c)为制造本发明之又一实施形态的配线基板中 之第三制程的截面图。 图8(d)为制造本发明之又一实施形态的配线基板中 之第四制程的截面图。 图9(a)为制造多层配线基板的第一制程之截面图。 图9(b)为制造多层配线基板的第二制程之截面图。 图10(a)为制造本发明之又一实施形态的配线基板 中之第一制程的截面图。 图10(b)为制造本发明之又一实施形态的配线基板 中之第二制程的截面图。 图10(c)为制造本发明之又一实施形态的配线基板 中之第三制程的截面图。 图10(d)为制造本发明之又一实施形态的配线基板 中之第四制程的截面图。 图10(e)为制造本发明之又一实施形态的配线基板 中之第五制程的截面图。 图10(f)为制造本发明之又一实施形态的配线基板 中之第六制程的截面图。 图l0(g)为制造本发明之又一实施形态的配线基板 中之第七制程的截面图。 图10(h)为制造本发明之又一实施形态的配线基板 中之第八制程的截面图。 图10(i)为制造本发明之又一实施形态的配线基板 中之第九制程的截面图。 图10(j)为制造本发明之又一实施形态的配线基板 中之第十制程的截面图。 图11(a)为以往制造配线基板的第一制程之截面图 。 图11(b)为以往制造配线基板的第二制程之截面图 。 图11(c)为以往制造配线基板的第三制程之截面图 。 图11(d)为以往制造配线基板的第四制程之截面图 。 图12(a)为说明习知技术的"渗胶"之于多孔性基材形 成贯通孔时的截面图。 图12(b)为说明习知技术的"渗胶"之将铜箔叠合予以 热压接时的截面图。 |
