摘要 |
<p>본 발명은 전하의 트랜스퍼 효율을 높인 씨모스(CMOS) 이미지 센서에 관한 것으로, 게이트에 리셋 신호가 인가되고 한쪽 전극은 플로우팅 디퓨전 영역에 연결되고 다른쪽 전극은 Vcc 단자에 연결되는 리셋 트랜지스터;게이트가 플로우팅 디퓨전 영역에 연결되고 한쪽 전극은 Vcc 단자에 연결되는 셀렉트 트랜지스터;게이트에는 Row 선택 신호가 입력되고 상기 셀렉트 트랜지스터에 직렬 연결되어 한쪽 전극이 칼럼 선택 라인에 연결되는 액세스 트랜지스터;게이트에 전하 트랜스퍼 신호가 인가되고 한쪽 전극이 플로우팅 디퓨전 영역에 연결되는 제 1 트랜스퍼 트랜지스터;상기 제 1 트랜스퍼 게이트에 직렬 연결되어 게이트가 Vcc 단자에 연결되고 한쪽 전극이 포토다이오드에 연결되는 제 2 트랜스퍼 트랜지스터를 포함하여 구성된다.</p> |