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<P>L'invention concerne une structure de protection d'une première zone d'une tranche semiconductrice comprenant un substrat (11) faiblement dopé d'un premier type de conductivité contre des parasites haute fréquence susceptibles d'être injectés à partir de composants formés dans la partie supérieure d'une deuxième zone de la tranche, comprenant un mur (21) très fortement dopé du premier type de conductivité ayant sensiblement la profondeur de ladite partie supérieure. Le mur est divisé en segments dont chacun est connecté à un plan de masse.</P>
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