| 摘要 |
<p>Es wird eine Plasmaanlage mit einer induktiv gekoppelten Hochfrequenz-Plasmastrahlquelle (5) mit einem einen Plasmaerzeugungsraum (27) begrenzenden Brennerkörper (25) mit einer Austrittsöffnung (26) für den Plasmastrahl (20), einer den Plasmaerzeugungsraum (27) bereichsweise umgebenden Spule (17), einer Zuführung (10) zur Zufuhr eines Gases und/oder Precursor-Materials in den Plasmaerzeugungsraum (27) und einem mit der Spule (17) in Verbindung stehenden Hochfrequenzgenerator (16) zur Zündung des Plasmas (21) und Einkoppelung einer elektrischen Leistung in das Plasma (21) vorgeschlagen. Daneben weist die Plasmastrahlquelle (5) ein elektrisches Bauteil auf, mit dem die Intensität des Plasmastrahles (20) zeitlich periodisch veränderbar ist. Weiter ein Verfahren zur Erzeugung der Funktionsbeschichtung auf einem Substrat (19) mit der Plasmaanlage vorgeschlagen.</p> |
