| 摘要 |
<p>L'invention concerne un procédé permettant de produire des articles semi-conducteurs dotés de profils prédéfinis tels que des tubes centraux utilisés pour produire un dépôt chimique en phase vapeur (CCD) de polysilicium en vrac. Ce procédé est caractérisé par un dépôt de matériau semi-conducteur (18) par pulvérisation thermique à température contrôlée dans un mandrin rotatif (14) configuré de manière complémentaire au profil de l'article désiré, et par séparation ultérieure du corps semi-conducteur formé à partir dudit mandrin par contraction thermique, fusion ou réduction chimique de la taille de ce mandrin.</p> |
