| 发明名称 |
METHODE ZUR HERSTELLUNG VON HOCHLEISTUNGSBIPOLARTRANSISTOREN IN EINEM BICMOS-VERFAHREN |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE69523551(T2) |
申请公布日期 |
2002.08.08 |
| 申请号 |
DE1995623551T |
申请日期 |
1995.08.03 |
| 申请人 |
NATIONAL SEMICONDUCTOR CORP., SUNNYVALE |
发明人 |
DARMAWAN, A. |
| 分类号 |
H01L21/8249;(IPC1-7):H01L21/225;H01L21/331;H01L21/824 |
主分类号 |
H01L21/8249 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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