| 发明名称 |
Nativer Feldeffekttransistor und Verfahren zu dessen Herstellung |
| 摘要 |
Die Erfindung bezieht sich auf einen nativen Feldeffekttransistor (NT) sowie ein dazugehöriges Herstellungsverfahren, wobei ein komplementärer Kanalstoppbereich (KKS) im wesentlichen unterhalb von Isolationsgebieten (I) in einem Substrat (1) ausgebildet ist, der eine gleiche Dotierung aufweist wie ein von den Isolationsgebieten (I) begrenzter Kanalbereich (K) des nativen Feldeffekttransistors (NT).
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| 申请公布号 |
DE10108923(C1) |
申请公布日期 |
2002.08.08 |
| 申请号 |
DE20011008923 |
申请日期 |
2001.02.23 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
ABDUL-HAK, AYAD;CASPARY, DIRK;GRATZ, ACHIM;HAIBACH, PATRICK;KAMIENSKI, ELARD STEIN VON;KUTTER, CHRISTOPH |
| 分类号 |
H01L21/762;H01L29/78;(IPC1-7):H01L29/78;H01L21/336 |
主分类号 |
H01L21/762 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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