| 发明名称 |
Method of forming a storage node in a semiconductor device |
| 摘要 |
<p>본 발명은 반도체 소자의 전하저장전극 형성 방법에 관한 것으로, 귀금속 전하저장전극을 형성하기 위해 사용되는 하드 마스크를 산화막과 산화막 상부에 스페이서 형태로 증착되는 TiN막으로 형성함으로써 전하저장전극을 수직 구조로 형성할 수 있는 반도체 소자의 전하저장전극 형성 방법에 관한 것이다.</p> |
| 申请公布号 |
KR100347542(B1) |
申请公布日期 |
2002.08.07 |
| 申请号 |
KR19990060549 |
申请日期 |
1999.12.22 |
| 申请人 |
주식회사 하이닉스반도체 |
发明人 |
신현상;박창헌;김명필 |
| 分类号 |
H01L27/108;H01L21/02;H01L21/3213 |
主分类号 |
H01L27/108 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
