发明名称 |
顺序横向固化方法加工期间及其后硅薄膜的表面平面化 |
摘要 |
揭示了减小通过顺序横向固化工艺生产的多晶或单晶薄膜的表面粗糙度的系统和方法。在一个配置中,该系统包括用于产生具有预定注量的多个准分子激光脉冲的准分子激光器(110);用于可控地调节准分子激光脉冲的注量从而使该注量低于使薄膜完全融化所需的注量的能量密度调节器(120)用于把经调节的激光脉冲在一预定平面内均化的光束均化器(144);用于接收均化的激光脉冲以实行使多晶或单晶薄膜的部分相应于激光脉冲局部融化的样品台(170);用于可控地平移样品台(170)相对于激光脉冲的相对位置的平移装置;以及用于以样品台(170)的相对位置协调准分子脉冲的产生和注量调节从而通过样品台(170)相对于激光脉冲的顺序平移来加工多晶或单晶薄膜的计算机(110)。 |
申请公布号 |
CN1363117A |
申请公布日期 |
2002.08.07 |
申请号 |
CN00810687.8 |
申请日期 |
2000.03.21 |
申请人 |
纽约市哥伦比亚大学托管会 |
发明人 |
J·S·艾姆;R·S·斯波西利;M·A·克劳德 |
分类号 |
H01L21/31;H01L21/00;H01L21/26;H01L21/38 |
主分类号 |
H01L21/31 |
代理机构 |
上海专利商标事务所 |
代理人 |
洪玲 |
主权项 |
1.一种用于减小通过顺序横向固化工艺生产的多晶或单晶薄膜的表面粗糙度的系统,包括:(a)准分子激光器,用于产生具有预定注量的多个准分子激光脉冲;(b)光学耦合到所述准分子激光器的能量密度调节器,用于可控地调节所述准分子激光器发射的所述准分子激光脉冲的注量,从而所述注量低于使所述多晶或单晶薄膜完全融化所需的注量;(c)光学地耦合到所述能量密度调节器的光束均化器,用于把所述经调节的激光脉冲在一预定平面内均化;(d)光学地耦合到所述掩模的样品台,用于接收所述均化的激光脉冲,以使所述多晶或单晶薄膜的部分相应于所述激光脉冲而局部融化;(f)耦合到所述样品台的平移装置,用于可控地平移所述样品台相对于所述激光脉冲的相对位置;以及(g)耦合到所述准分子激光器、所述能量密度调节器以及所述平移装置的计算机,用于控制所述准分子激光脉冲的可控注量调节以及所述样品台和所述激光脉冲的所述可控相对位置,以及以所述样品台与所述激光脉冲的所述相对位置协调所述准分子脉冲的产生和所述注量调节,从而通过相对于所述激光脉冲顺序平移所述样品台,在所述多晶或单晶薄膜上的相应顺序位置处对其进行加工。 |
地址 |
美国纽约州 |