| 摘要 |
<p>본 발명은 반도체소자의 제조방법에 관한 것으로, 비아콘택형성공정에서 실릴레이션 공정중에 형성된 실리콘산화막을 식각마스크로 사용하여 감광막과 저유전체막을 연속적으로 식각할 수 있고, 기존의 하드마스크를 사용하지 않기 때문에 공정의 단순화 및 원가절감할 수 있으며, 특히 금속층의 미세패턴형성공정에 실릴레이션공정을 적용하여 초점심도(depth of focus, DOF), EL(energy latitude) 등의 공정마진을 향상시키고, 감광막 패턴 하부의 단차에 영향받지 않고 패턴을 형성하여 공정을 안정화시키는 기술이다.</p> |
