发明名称 | 热处理设备和制造半导体器件的方法 | ||
摘要 | 热处理设备和制造半导体器件的方法。本发明的热处理设备包括一个反应管、一个用于减小该反应管中的压力的排出单元、一个用于对放置在该反应管中的受处理衬底进行加热/冷却而导入气体的单元、一个用于对放置在该反应管中的受处理衬底进行加热的光源、和一个以脉冲形式接通/关断该光源的单元。而且,通过一个光源进行对受处理衬底的加热是通过一个第一单元和一个第二单元进行的,该第一单元用于以一种一秒或更短的循环的脉冲形式来接通/关断该光源以对该受处理衬底进行加热,该第二单元用于以一种一秒或更长的循环的脉冲形式来接通/关断该光源以对该受处理衬底进行加热。 | ||
申请公布号 | CN1362731A | 申请公布日期 | 2002.08.07 |
申请号 | CN01145185.8 | 申请日期 | 2001.12.28 |
申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 山崎舜平 |
分类号 | H01L21/324;H01L21/477;H01L21/00 | 主分类号 | H01L21/324 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 张志醒 |
主权项 | 1.一种热处理设备,包括:一个反应管;一个气体提供装置,用于将气体提供到所述反应管中并且加热或冷却所述气体;一个光源,用于对放置在所述反应管中的一个衬底进行加热;和用于以脉冲形式接通/关断所述光源的装置。 | ||
地址 | 日本神奈川县 |