| 摘要 |
<p>본 발명은 스택 게이트형 플래쉬 메모리 셀의 제조방법에 관한 것으로, 플래쉬 메모리 셀의 프로그램 및 소거 동작시 셀의 플로팅 게이트로 전자가 불필요하게 유출되거나 유입되어 누설전류가 증가하는 문제점을 해결하기 위하여, 플로팅 게이트를 제 1 도전층/유전물질층/제 2 도전층의 정측 구조로 구성하고, 셀의 프로그램 동작을 제 1 도전층에 핫 캐리어를 주입하기 위한 1차 프로그램 동작 및 제 1 도전층에 주입된 핫 캐리어를 제 2 도전층으로 주입시키기 위한 2차 프로그램 동작으로 나누어 실시하므로써, 플로팅 게이트에 저장된 전자의 손실을 방지하여 누설전류를 감소시키고 셀의 데이터 리텐션 특성을 개선시킬 수 있도록 한 스택 게이트형 플래쉬 메모리 셀 및 그 프로그램 방법이 개시된다.</p> |
