Method for manufacturing capacitive element,申请号KR19990049649-传众专利搜索

发明名称	Method for manufacturing capacitive element
摘要	<p>본 발명의 용량소자 형성방법은, 반도체기판(20)상에 증착된 비정질실리콘막을 HSG처리하여 HSG를 형성하는 단계와, HSG의 표면에 산화저지처리를 수행하는 단계와, 그리고 HSG에 불순물을 주입하여 용량소자를 형성하는 단계를 구비한다. 이 산화저지처리는, HSG의 사이즈를 감소시켜 기계적 강도를 저하시키는 자연산화막의 형성을 효율적으로 방지하는 수소종단처리인 것이 바람직하다.</p>
申请公布号	KR100347555(B1)	申请公布日期	2002.08.07
申请号	KR19990049649	申请日期	1999.11.10
申请人	닛본 덴기 가부시끼가이샤	发明人	야마모토이치로
分类号	H01L27/04;H01L21/02;H01L21/822;H01L21/8242;H01L27/10;H01L27/108	主分类号	H01L27/04
代理机构		代理人
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