| 发明名称 |
Copper material for chemical vapor deposition and process for forming thin film using the same |
| 摘要 |
A material for chemical vapor deposition comprising a beta-diketonatocopper (II) complex which is liquid at room temperature.
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| 申请公布号 |
US6429325(B1) |
申请公布日期 |
2002.08.06 |
| 申请号 |
US20000730403 |
申请日期 |
2000.12.06 |
| 申请人 |
ASAHI DENKA KOGYO KABUSHIKI KAISHA |
发明人 |
ONOZAWA KAZUHISA;SHINGEN TOSHIYA |
| 分类号 |
C07C45/77;C07C49/92;C07F1/08;C23C16/18;H01L21/28;H01L21/285;(IPC1-7):C07F1/08;C23G16/00 |
主分类号 |
C07C45/77 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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