| 主权项 |
1.一种OLED装置,其包含:a)一基板;b)一阳极,在该基板上由一导电材料所形成;c)一发射层,在该阳极上面所提供而有一电激发光材料;d)一有至少二层之缓冲结构,其一系在该发射层上面所提供而含一硷性卤化物之第一缓冲层,另一系在第一缓冲层上面所提供而含菁之第二缓冲层;以及e)一溅镀成的阴极层,其在该缓冲结构上面所提供,而含硷金属合金。2.一种OLED装置,其包含:a)一基板;b)一阳极,在该基板上面而由一导电材料所形成;c)一电洞注射层,在该阳极上面所提供;d)一电洞运输层,在该电洞注射层上面所提供;e)一发射层,在该电洞运输层上面所提供而有一电激发光材料;f)一电子运输层,在该发射层上面所提供;g)一有至少二层之缓冲结构,其一系在该电子运输层上面所提供而含一硷性卤化物之第一缓冲层,另一系在第一缓冲层上面所提供而含菁之第二缓冲层;以及h)一溅镀成的阴极层,其在该缓冲结构上面所提供,而含硷金属合金。3.如申请专利范围第1项之OLED装置,其中该第一缓冲层厚度小于10奈米而大于0奈米。4.如申请专利范围第1项之OLED装置,其中该第一缓冲层厚度小于3奈米而大于0奈米。5.如申请专利范围第1项之OLED装置,其中该第二缓冲层厚度小于100奈米而大于5奈米。6.如申请专利范围第1项之OLED装置,其中该第二缓冲层厚度小于200奈米而大于0奈米。7.如申请专利范围第1项之OLED装置,其中该硷性卤化物包括LiF。8.如申请专利范围第1项之OLED装置,其中该菁包括金属菁。9.如申请专利范围第1项之OLED装置,其中该含Li合金之阴极系对一标靶溅镀而产生,而该标靶含至少0.5%原子比之Li。10.一种制造OLED装置之方法,其包含步骤:a)提供一基板;b)在该基板上面形成一导电材料所制之阳极,;c)在该阳极上面沉积而提供一含电激发光材料之发射层;d)形成一有至少二层之缓冲结构,其一系在该发射层上面所提供而含一硷性卤化物之第一缓冲层,另一系在第一缓冲层上面所提供而含菁之第二缓冲层;以及e)在该缓冲结构上面溅镀而提供一含硷金属合金之阴极层。图式简单说明:图1以简图示出该OLED装置之层状结构。 |
