| 主权项 |
1.一种双载子电晶体,其具有:至少一个由一个或多个射极元件所形成之射极;一个或多个集极接触区,其至少一个射极,至少一个基极接触区及至少一个集极接触区在一种指定之配置中共同形成此电晶体之布局,其特征为:射极(20)具有至少一个闭合之对极组态(21),至少一个射极组态(21)邻接于至少一个射极-内部空间(27);设有二个或更多之基极接触区(40,41);至少一个基极接触区(41)配置在射极-内部空间(27)中;至少另一基极接触区(40)以及至少一个集极接触区(50)配置在射极组态(21)外部。2.如申请专利范围第1项之双载子电晶体,其中此射极组态(21)具有二个或更多之射极元件(22,25,26),它们互相连接。3.如申请专利范围第1项之双载子电晶体,其中此射极组态(21)具有二个或更多之条形之射极元件(22),它们互相平行且相隔开,条形之射极元件(22)在其空着的末端(23,24)分别经由一种由外部射极条(25)所形成之射极元件而互相连接。4.如申请专利范围第3项之双载子电晶体,其中在二个外部射极条(25)之间至少设置另一可连接此二个条形射极元件(22)用之内部射极条(26),藉此可使射极-内部空间(27)划分成二个或多个子空间(28)。5.如申请专利范围第4项之双载子电晶体,其中在一个或多个子空间(28)中配置基极接触区(41)。6.如申请专利范围第1项之双载子电晶体,其中射极(20)具有二个或多个闭合之射极组态(21)。7.如申请专利范围第1项之双载子电晶体,其中在至少一个射极组态(21)外部设置至少二个条形之基极接触区(40)及/或至少二个条形之集极接触区(50)。8.如申请专利范围第7项之双载子电晶体,其中射极组态(21)具有二个或更多之条形之射极元件(22),它们互相平行且相隔开,条形之射极元件(22)在其空着的末端(23,24)分别经由一种由外部射极条(25)所形成之射极元件而互相连接,条形之基极接触区(40)平行于外部之射极条(25)且互相隔开。9.如申请专利范围第7项之双载子电晶体,其中射极组态(21)具有二个或更多之条形之射极元件(22),它们互相平行且相隔开,条形之射极元件(22)在其空着的末端(23,24)分别经由一种由外部射极条(25)所形成之射极元件而互相连接,条形之集极接触区(50)平行于条形之射极元件(22)且互相隔开。10.如申请专利范围第1项之双载子电晶体,其中至少一个射极(20)连接在第一金属化平面中。11.如申请专利范围第10项之双载子电晶体,其中至少一个基极接触区(40,41)在一种与第一金属化平面相平行且空间中相隔开之第二金属化平面中延伸。12.如申请专利范围第1至11项中任一项之双载子电晶体,其中此种介于至少一个射极(20)和至少一个集极接触区(50)之间之基极接点是以基极-多晶矽材料制成。13.如申请专利范围第12项之双载子电晶体,其中此基极多晶矽是一种矽化物。14.如申请专利范围第12项之双载子电晶体(10),其系用作微波-电晶体。15.如申请专利范围第13项之双载子电晶体(10),其系用作微波-电晶体。图式简单说明:第1图系先前技艺之双载子电晶体之布局。第2图系本发明之最佳化之电晶体配置之第一实施例之布局。第3图系本发明之最佳化之电晶体配置之另一实施例之布局。第4图系本发明之最佳化之电晶体配置之另一实施例之布局。第5图系本发明之最佳化之电晶体配置之另一实施例之布局。第6a,6b图系在相同之射极面积(即,相同之电流量)时第1图之先前技艺之电晶体之大小(第6a图)相对于第2图之本发明之电晶体之大小(第6b图)之依比例尺而绘制之比较图。 |
