| 主权项 |
1.一种利用在浅渠沟隔离结构额外植入杂质以避免互补式金氧半电晶体闭锁的制作方法,包括下列步骤:(i)首先,利用光罩微影技术及蚀刻技术,在底材上定义出主动区域;(ii)接着,成长一氧化层;(iii)然后,以光阻层在第一型井区形成罩幕层,再于未被罩幕层遮蔽的第二型井区植入第一杂质;(iv)于去除罩幕层后,再以另一光阻层在第二型井区形成罩幕层,并于未被罩幕层遮蔽的第一型井区植入第二杂质;及(v)接着填满浅深沟。2.如申请专利范围第1项的制作方法,其中,上述步骤(ii)中,系利用热氧化法成长该氧化层。3.如申请专利范围第1项的制作方法,其中,上述第一型系p型,上述第二型系n型。4.如申请专利范围第1项的制作方法,其中,上述第一型系n型,上述第二型系p型。5.如申请专利范围第1项的制作方法,其中,上述步骤(v)中系以氧化物填满上述浅渠沟。6.如申请专利范围第1项的制作方法,其中,上述步骤(iii)及(iv)中,第一杂质与第二杂质的植入能量约为10-100 KeV,且其掺杂浓度约为5E12-1E14/cm2。7.如申请专利范围第3项的制作方法,其中,上述第一杂质为硼离子。8.如申请专利范围第3项的制作方法,其中,上述第二杂质为砷离子或磷离子。9.如申请专利范围第4项的制作方法,其中,上述第一杂质为砷离子或磷离子。10.如申请专利范围第4项的制作方法,其中,上述第二杂质为硼离子。图式简单说明:第1a图至第1e图系绘示利用习知的CMOS电路制程制作浅渠沟的剖面图。第2图系绘示上述习知CMOS电路的上视图。第3a图至第3g图系绘示说明本发明之利用在浅渠沟隔离结构额外植入杂质以避免互补式金氧半电晶体闭锁的制作方法的剖面图。 |
