| 主权项 |
1.一种半导体影像感测装置,包括:一基底;一感光元件,设于该基底上且接受一投射光;以及一遮蔽装置,设于该基底上并阻止该投射光投射至该感光元件,包括:一第一及第二遮蔽层,该第一遮蔽层具有至少一间隙;以及一第一及第二介层柱,竖立于该第一及第二遮蔽层间及该间隙之两侧而连接该第一及第二遮蔽层。2.如申请专利范围第1项所述之装置,其中该基底系一矽基底。3.如申请专利范围第1项所述之装置,其中该感光元件系一主动式CMOS像素。4.如申请专利范围第1项所述之装置,其中该些遮蔽层及介层柱系金属层。5.如申请专利范围第4项所述之装置,其中该些遮蔽层系铜。6.如申请专利范围第4项所述之装置,其中该些遮蔽层系铝。7.如申请专利范围第4项所述之装置,其中该些介层柱系钨插塞。8.如申请专利范围第4项所述之装置,其中该些介层柱系铜插塞。9.如申请专利范围第1项所述之装置,其中该第二遮蔽层亦具有至少一间隙。10.一种半导体影像感测装置之制造方法,包括以下步骤:提供一基底;在该基底上形成一感光元件;在该感光元件上形成一第一遮蔽层,并在该第一遮蔽层中形成一间隙;形成一绝缘层而填满该间隙并覆盖该第一遮蔽层;在该绝缘层中形成分别位于该间隙两侧之一第一及第二介层孔,并在该第一及第二介层孔中填入一第二遮蔽层;以及形成一覆盖该绝缘层之第三遮蔽层。11.如申请专利范围第10项所述之方法,其中该基底系一矽基底。12.如申请专利范围第10项所述之方法,其中该感光元件系一主动式CMOS像素。13.如申请专利范围第10项所述之方法,其中该些遮蔽层系金属层。14.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该第一及第三遮蔽层系铜。15.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该第一及第三遮蔽层系铝。16.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该第二遮蔽层系钨插塞。17.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该第二遮蔽层系铜插塞。18.如申请专利范围第10项所述之方法,其中更包括在该第三遮蔽层中形成一间隙。19.如申请专利范围第10项所述之方法,其中更包括形成一覆盖该第三遮蔽层之绝缘层。图式简单说明:第1图系传统参考像素之剖面图;第2A-2E图显示依本发明一实施例之参考像素之制造方法;第3图系依本发明一实施例之参考像素之剖面图。 |
