| 主权项 |
1.一种具有双顶氧化层之氮化物唯读记忆胞结构,包括:一已完成前段制程之半导体基底;复数个ONO(氧化物-氮化物-氧化物)结构,位于该半导体基底表面,以作为浮置闸极;在该ONO结构之间的半导体基底上设置有复数个埋层离子扩散区域;一顶氧化层,覆盖于该ONO结构及该埋层离子扩散区域之表面;复数个埋层氧化层,其系位于该埋层离子扩散区域上;以及复数条多晶矽字元线,形成于该顶氧化层上方。2.如申请专利范围第1项所述之氮化物唯读记忆胞结构,其中该ONO结构由下而上依序由二氧化矽层、氮化矽层以及二氧化矽层堆叠而成者。3.如申请专利范围第2项所述之氮化物唯读记忆胞结构,其中最底层之该二氧化矽层更可经氮化处理,以形成一氮化之二氧化矽层。4.如申请专利范围第1项所述之氮化物唯读记忆胞结构,其中该埋层离子扩散区域系为N型离子掺杂区。5.如申请专利范围第1项所述之氮化物唯读记忆胞结构,其中该顶氧化层系利用高温化学气相沉积法(HTO)所沉积而成者。6.如申请专利范围第1项所述之氮化物唯读记忆胞结构,其中该顶氧化层之厚度系介于20-100埃()之间。7.一种具有双顶氧化层之氮化物唯读记忆胞结构的制造方法,其系包括下列步骤:提供一已完成前段制程之半导体基底;利用微影蚀刻制程,于该半导体基底上形成有复数个ONO(氧化物-氮化物-氧化物)结构,以作为浮置闸极;在该ONO结构之间的半导体基底上进行离子植入,以形成复数个埋层离子扩散区域;沈积一顶氧化层,覆盖于该ONO结构及该埋层埋层离子扩散区域之表面;于该埋层离子扩散区域上形成有埋层氧化层;以及在该顶氧化层上方形成有复数条多晶矽字元线。8.如申请专利范围第7项所述之制造方法,其中该ONO结构由下而上依序由二氧化矽层、氮化矽层以及二氧化矽层堆叠而成者。9.如申请专利范围第8项所述之制造方法,其中最底层之该二氧化矽层更可经氮化处理,以形成一氮化之二氧化矽层。10.如申请专利范围第7项所述之制造方法,其中该埋层离子扩散区域系为N型离子掺杂区。11.如申请专利范围第7项所述之制造方法,其中沈积该顶氧化层之步骤系利用高温化学气相沉积法(HTO)所沉积而成者。12.如申请专利范围第7项所述之制造方法,其中该顶氧化层之厚度系介于20-100埃()之间。图式简单说明:第一图及第二图为习知制作氮化物唯读记忆胞之部分结构剖视图。第三图为本发明之氮化物唯读记忆胞之结构示意图。第四A图至第四D图为本发明在制作记忆胞过程时之各步骤的构造示意图。 |
