| 主权项 |
1.一种光半导体雷射装置,其特征在于:包含有:基板;形成于基板上并振荡第一波长雷射光的第一雷射元件部;形成于基板上并振荡第二波长雷射光的第二雷射元件部;在该第一雷射元件部的前端面与该第二雷射元件部的前端面上一次形成之相同膜厚的前端面膜;及由在该第一雷射元件部的后端面与该第二雷射元件部的后端面上一次形成之相同膜厚的复数薄膜所组成的后端面膜;其中该前端面膜、与该后端面膜之复数薄膜,相对该第一波长与该第二波长的平均波长m,光学长度d=(1/4+j)m(j=0,1,2…)。2.如申请专利范围第1项所述之光半导体雷射装置,其中该前端面膜具3~37%的反射率,而后端面则具75%以上的反射率。3.如申请专利范围第1项所述之光半导体雷射装置,其中该前端面膜系由折射率n<1.8的材料所形成,而该后端面膜系由折射率n<1.8的材料薄膜与折射率n>1.9的材料薄膜所叠层而成。4.如申请专利范围第3项所述之光半导体雷射装置,其中该前端面膜系由Al2O3所形成,而该后端面膜系由Al2O3或SiO2所形成之薄膜,与SiN4或Si所形成之薄膜的叠层。5.一种光半导体雷射装置的制造方法,其特征在于:包含有:在基板上形成振荡第一波长之雷射光的第一雷射元件部之程序;在基板上形成振荡第二波长之雷射光的第二雷射元件部之程序;在该第一雷射元件部之前端面与该第二雷射元件部之前端面上采用ECR溅镀法一次形成相同膜厚之前端面膜的程序;及在该第一雷射元件部之后端面与该第二雷射元件部之后端面上采用ECR溅镀法一次形成由复数相同膜厚之薄膜所组成之后端面膜的程序。图式简单说明:第1图系本发明之二波长半导体雷射构造的概略图。第2图系本发明第一实施例之振荡波长650nm雷射二极体叠层构造的剖面示意图。第3图系本发明第一实施例之振荡波长650nm雷射二极体的能量带隙示意图。第4图系本发明第一实施例之振荡波长780nm雷射二极体叠层构造的剖面示意图。第5图系本发明第一实施例之振荡波长780nm雷射二极体的能量带隙示意图。第6图系本发明第一实施例之二波长半导体雷射构造的端面膜构造示意图。第7图系本发明第一实施例之前端面膜,依波长别的反射率变化示意图。第8图系本发明第一实施例之前端面膜,依波长别的反射率变化示意图。第9图系本发明第一实施例之前端面膜,依波长别的反射率变化示意图。第10图系本发明第一实施例之高反射端面膜,依波长别的反射率变化示意图。第11图系本发明第一实施例之高反射端面膜,依波长别的反射率变化示意图。第12图系本发明第一实施例之高反射端面膜,依波长别的反射率变化示意图。第13图系本发明第二实施例之二波长半导体雷射构造的端面膜构造示意图。第14图系本发明第二实施例之振荡波长780nm雷射二极体叠层构造的剖面示意图。第15图系本发明第二实施例之振荡波长780nm雷射二极体的能量带隙示意图。第16图系本发明第二实施例之前端面膜,依波长别的反射率变化示意图。第17图系本发明第二实施例之前端面膜,依波长别的反射率变化示意图。第18图系本发明第二实施例之前端面膜,依波长别的反射率变化示意图。第19图系本发明第二实施例之前端面膜,依波长别的反射率变化示意图。第20图系本发明第二实施例之前端面膜,依波长别的反射率变化示意图。第21图系本发明第二实施例之前端面膜,依波长别的反射率变化示意图。第22图系本发明第二实施例之高反射端面膜,依波长别的反射率变化示意图。第23图系本发明第二实施例之高反射端面膜,依波长别的反射率变化示意图。第24图系本发明第二实施例之高反射端面膜,依波长别的反射率变化示意图。第25图系本发明第三实施例之二波长半导体雷射构造的端面膜构造示意图。第26图系本发明第三实施例之前端面膜,依波长别的反射率变化示意图。第27图系本发明第三实施例之前端面膜,依波长别的反射率变化示意图。第28图系本发明第三实施例之前端面膜,依波长别的反射率变化示意图。第29图系本发明第三实施例之前端面膜,依波长别的反射率变化示意图。第30图系本发明第三实施例之前端面膜,依波长别的反射率变化示意图。第31图系本发明第三实施例之前端面膜,依波长别的反射率变化示意图。第32图系习知端面膜形成程序示意图。第33图系习知端面膜形成程序示意图。第34图系习知端面膜形成程序示意图。 |
