| 主权项 |
1.一种SOC封装过程,其步骤为:a)提供一基板,该基板具有一上表面、一下表面及连通上下表面之通孔;b)在基板之上表面形成一层两阶段特性[two stage]具有溶剂之热固性混合物;c)去除溶剂,使热固性混合物形成无溶剂之黏着乾膜;d)提供至少一晶片,晶片具有一主动面及复数个在主动面之焊垫,其中晶片之主动面系接触基板之上表面且晶片之焊垫系位置对应于基板之通孔;e)施压加热基板与晶片,使上述无溶剂之黏着乾膜固化并结合晶片与基板;f)经由通孔打线电性连接晶片之焊垫至基板;及g)形成一封胶材于该基板之通孔处。2.如申请专利范围第1项中所述之SOC封装过程,其系以网版印刷方法形成一层热固性混合物。3.如申请专利范围第1项中所述之SOC封装过程,其系以印刷[painting]、喷涂[spraying]、旋涂[spinning]或浸染[dipping]方法形成一层热固性混合物。4.如申请专利范围第1项中所述之SOC封装过程,其在「形成封胶材」之步骤后,另包含有:接植复数个焊球于基板之下表面。5.如申请专利范围第1项中所述之SOC封装过程,其中系以压模方式形成该封胶材。6.如申请专利范围第5项中所述之SOC封装过程,其中该封胶材系密封晶片。7.如申请专利范围第1项中所述之SOC封装过程,其中系以加热或真空乾燥方式去除溶剂。8.如申请专利范围第1项中所述之SOC去装过程,其中在e)步骤之施压加热温度系高于c)步骤之温度。图式简单说明:第1图:在美国专利案第6,190,943号「晶片尺寸封装方法」中,一SOC封装结构之截面图;第2图:在美国专利案第6,190,943号「晶片尺可封装方法」中,该SOC封装结构之制造流程图;及第3图:依本发明之一具体实施例,一SOC封装方法之制造流程图。 |
