氮化物唯读记忆体〈NROM〉之制造方法及其结构

摘要

一种氮化物唯读记忆体(Nitride Read On1y Memory; NROM)之制造方法及其结构。本发明之方法于制造NROM单元时，先形成一层或多层的隔离层覆盖氧化矽/氮化矽/氧化矽(Oxide-Nitride-Oxide; ONO)结构与闸极，再形成氮化矽(SiNx)间隙壁(Spacer)，来保护NROM单元。由于氮化矽间隙壁若直接与闸极接触，会导致NROM元件的起始电压(ThresholdVoltage)升高，因此本发明利用一层或多层由氧化矽(SiOy)所构成之隔离层，隔离NROM元件及氮化矽间隙壁。不仅可保护NROM元件，且可避免使用氮化矽间隙壁所造成的副作用及元件之间产生漏电流(Leakage Current)。

主权项

1.一种氮化物唯读记忆体(NROM)之制造方法,至少包括:提供一基材,其中该基材上形成有一氧化矽/氮化矽/氧化矽(ONO)结构;形成一闸极覆盖该氧化矽/氮化矽/氧化矽结构之一部分;形成一隔离层覆盖该闸极与该氧化矽/氮化矽/氧化矽结构之另一部分;形成一间隙壁,其中该间隙壁位于该隔离层之侧壁;以及形成一绝缘层覆盖该基材、该间隙壁、以及该隔离层。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该闸极包括一多晶矽层以及一矽化金属层。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中形成该隔离层之步骤系采用一共形的沉积。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该隔离层之材料为一氧化矽(SiOy)。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该隔离层与该间隙壁构成一保护构造。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该间隙壁之材料为氮化矽(Si3N4)。7.一种氮化物唯读记忆体(NROM)之结构,至少包括:一基材,其中该基材上形成有一氧化矽/氮化矽/氧化矽(ONO)结构;一闸极位于部分之该氧化矽/氮化矽/氧化矽结构上;一隔离层位于该闸极以及该氧化矽/氮化矽/氧化矽结构之另一部分上;一间隙壁位于该隔离层之侧壁;以及一绝缘层位于该基材、该间隙壁、以及该隔离层上。8.如申请专利范围第7项所述之氮化物唯读记忆体之结构,其中该隔离层之形成系利用一共形的沉积步骤。9.如申请专利范围第7项所述之氮化物唯读记忆体之结构,其中该隔离层之材料为一氧化矽(SiOy)。10.如申请专利范围第7项所述之氮化物唯读记忆体之结构,其中该隔离层与该间隙壁构成一保护构造。11.如申请专利范围第7项所述之氮化物唯读记忆体之结构,其中该间隙壁之材料为氮化矽(Si3N4)。12.一种氮化物唯读记忆体(NROM)之制造方法,至少包括:提供一基材,其中该基材上形成有一氧化矽/氮化矽/氧化矽(ONO)结构;形成一闸极覆盖该氧化矽/氮化矽/氧化矽结构之一部分;形成复数个隔离层覆盖该闸极与该氧化矽/氮化矽/氧化矽结构之另一部分;形成一间隙壁,其中该间隙壁位于该些隔离层之侧壁;以及形成一绝缘层覆盖该基材、该间隙壁、以及该些隔离层。13.如申请专利范围第12项所述之方法,其中形成该些隔离层之步骤系采用一共形的沉积。14.如申请专利范围第12项所述之方法,其中该些隔离层之材料系选自氧化矽(SiOy),且该些隔离层中相邻之任两层之材料成分不相同。15.如申请专利范围第12项所述之方法,其中该些隔离层与该间隙壁构成一保护构造。16.如申请专利范围第12项所述之方法,且该间隙壁之材料为氮化矽(Si3N4)。17.一种氮化物唯读记忆体(NROM)之结构,至少包括:一基材,其中该基材上形成有一氧化矽/氮化矽/氧化矽(ONO)结构;一闸极位于部分之该氧化矽/氮化矽/氧化矽结构上;复数个隔离层位于该闸极以及该氧化矽/氮化矽/氧化矽结构之另一部分上;一间隙壁位于该些隔离层之侧壁;以及一绝缘层位于该基材、该间隙壁、以及该些隔离层上。18.如申请专利范围第17项所述之氮化物唯读记忆体之结构,其中该些隔离层之形成系利用一共形的沉积步骤。19.如申请专利范围第17项所述之氮化物唯读记忆体之结构,其中该些隔离层之材料系选自氧化矽(SiOy),且该些隔离层中相邻之任两层之材料成分不相同。20.如申请专利范围第17项所述之氮化物唯读记忆体之结构,其中该些隔离层与该间隙壁构成一保护构造。21.如申请专利范围第17项所述之氮化物唯读记忆体之结构,其中该间隙壁之材料为氮化矽(Si3N4)。图式简单说明:第1图为绘示习知NROM单元之结构的剖面图;第2图为绘示本发明之一较佳实施例之NROM单元之结构的剖面图;以及第3图为绘示本发明之另一较佳实施例之NROM单元之结构的剖面图。