| 主权项 |
1.一种用于减少含氢化物排出物中之氢化物种类的排出物减少制程,该制程包括(1)使含氢化物排出物与包含对氢化物种类具反应性之金属氧化物之乾式涤气器材料接触,以实质上地将氢化物种类自排出物移除,直至乾式涤气器材料对氢化物种类之反应能力至少部分耗尽为止,及(2)使经至少部分耗尽反应能力之乾式涤气器材料与氧化剂接触,以至少部分回复乾式涤气器材料对氢化物种类之反应能力。2.如申请专利范围第1项之制程,其中该氧化剂系在未与含氢化物排出物接触的状态下,与反应能力已耗尽之乾式涤气器材料接触。3.如申请专利范围第1项之制程,其中该金属氧化物包含选自包括铜、锌、银、钴、铁、镍、锰、铬、钼及其组合之金属。4.如申请专利范围第1项之制程,其中该氧化剂包括氧。5.如申请专利范围第1项之制程,其中该氧化剂包括空气。6.如申请专利范围第1项之制程,其中该排出物不含含氯化合物。7.如申请专利范围第1项之制程,其中该含氢化物排出物包括于半导体制造操作中生成之金属氢化物。8.如申请专利范围第1项之制程,其中该含氢化物排出物包含选自包括胂及膦之氢化物种类。9.如申请专利范围第1项之制程,其更包括热管理接触步骤(1)及(2),以维持低于100℃之乾式涤气器材料之温度。10.如申请专利范围第9项之制程,其中该热管理步骤包括自乾式涤气器材料取出热。11.如申请专利范围第9项之制程,其中该热管理步骤包括使乾式涤气器材料与冷却剂介质热交换。12.如申请专利范围第11项之制程,其中该冷却剂介质包含选自包括水及乙二醇之冷却剂。13.如申请专利范围第1项之制程,其中步骤(1)及(2)系以其之交替顺序重复地进行。14.如申请专利范围第13项之制程,其更包括在接触步骤中热监测乾式涤气器材料,及相应地转换接触步骤,以使乾式涤气器材料之温度维持在低于预定的温度界限。15.如申请专利范围第14项之制程,其中将乾式涤气器材料之温度维持在低于100℃。16.如申请专利范围第14项之制程,其中将乾式涤气器材料之温度维持在低于金属氧化物发生还原之温度。17.如申请专利范围第1项之制程,其中将乾式涤气器材料之床设于有含氢化物排出物及氧化剂各别循环、交替及重复地流过之容器中,以完成接触步来(1)及(2)。18.如申请专利范围第13项之制程,其中该乾式涤气器材料包括氧化铜。19.如申请专利范围第13项之制程,其中该氧化剂包括空气。20.如申请专利范围第1项之制程,其中将乾式涤气器材料设于其之多重床中,其更包括在循环操作中,使合氢化物排出物及氧化剂分别流至多重床之各别不同的床,其中各多重床以连续交替及重复的顺序经历接触步骤(1)及(2)。21.如申请专利范围第1项之制程,其中将乾式涤气器材料设于有含氢化物排出物及氧化剂选择性及连续地流过之圆柱形容器中。22.如申请专利范围第1项之制程,其中该含氢化物排出物系源自于III-V族化合物半导体产品之制造。23.如申请专利范围第22项之制程,其中该含氢化物带排出物包含选自包括AsH3.PH3.TBA、TBP、SiH4.GeH4.H2S、H2Se及其组合之至少一种氢化物种类。24.如申请专利范围第1项之制程,其中接触步骤(1)及(2)系同时进行。25.一种用于减少含氢化物排出物中之氢化物种类的排出物减少系统,该制程系统包括可与含氢化物排出物中之氢化物种类反应,以自排出物移除氢化物种类之乾式涤气器材料之床;以气体供给关系与乾式涤气器材料之床结合之含氢化物排出物之来源;以氧化剂供给关系与乾式涤气器材料之床结合之可于乾式涤气器材料减少氢化物后失去反应能力将其有效再生之氧化剂之来源;及经设置于可使含氢化物排出物及氧化剂流动而与乾式涤气器材料之床接触之流动回路。26.如申请专利范围第25项之排出物减少系统,其中将流动回路设置成使含氢化物排出物及氧化剂重复及交替地流动,而与乾式涤气器材料之床接触。27.如申请专利范围第25项之排出物减少系统,其中该流动回路包括将各含氢化物排出物之来源及氧化剂之来源与乾式涤气器材料之床以设有阀的歧管连结。28.如申请专利范围第25项之排出物减少系统,包括多个乾式涤气器材料之床,其系经设置供使各床经历以下步骤之操作之用:(1)使含氢化物排出物与床中之乾式涤气器材料接船,直至乾式涤气器材料对氢化物种类的反应能力至少部分耗尽为止,及(2)使经至少部分耗尽反应能力之乾式涤气器材料在未与含氢化物排出物接触的状态下与氧化剂接触,以至少部分回复乾式涤气器材料对氢化物种类的反应能力。29.如申请专利范围第26项之排出物减少系统,其更包括与各乾式涤气器材料之床以热交换关系设置的冷却剂流动回路。30.如申请专利范围第25项之排出物减少系统,其中该氧化剂来源包括CDA来源。31.如申请专利范围第29项之排出物减少系统,其中该冷却剂流动回路系为螺管,其形成为使乾式涤气床上显着大的区域不与螺管没有传热关系。32.如申请专利范围第25项之排出物减少系统,其中该含氢化物排出物之来源包括利用于制造III-V族半导体产品之半导体机台。33.如申请专利范围第25项之排出物减少系统,其中该乾式涤气器材料包括金属氧化物材料。34.如申请专利范围第33项之排出物减少系统,其中该金属氧化物包含选自包括铜、锌、银、钴、铁、镍、锰、铬、钼及其组合之金属。图式简单说明:图1系一系列之标准反应能力试验,为于空气氧化后之累积反应能力百分比的图。图2系一小罐含有与二氧化碳(CO2)接触的氢氧化钙(Ca(OH)2)之处理单元的效能行为模型,为温度(℃)对时间的作图。图3系以气体流动关系与半导体制造厂连结之根据本发明之一具体例之排出物减少系统的概略图示。图4系氧化剂及排出物流以相同方向流经乾式涤气器系统之本发明之另一较佳具体例的概略图示。 |
