| 主权项 |
1.一种光电元件用之半导体晶片,其具有一种发光用之活性层(3),其特征为:活性层(3)划分成许多部份区(12,18),其具有垂直于活性层(3)而延伸之侧面(7,8,13)。2.如申请专利范围第1项之半导体晶片,其中此半导体晶片之基(2)上具有一种层序列,其包含活性层(3)。3.如申请专利范围第1或2项之半导体晶片,其中此活性层(3)由上侧(8)藉由凹口(11)而被划分。4.如申请专利范围第3项之半导体晶片,其中各凹口(11)完全使活性层(3)中断。5.如申请专利范围第3项之半导体晶片,其中此活性层(3)由各凹口划分成瓷砖形成之相邻之部份区(12)。6.如申请专利范围第4项之半导体晶片,其中此活性层(3)由各凹口划分成瓷砖形成之相邻之部份区(12)。7.如申请专利范围第3项之半导体晶片,其中各凹口(11)之侧面是倾斜的。8.如申请专利范围第4项之半导体晶片,其中各凹口(11)之侧面是倾斜的。9.如申请专利范围第5项之半导体晶片,其中各凹口(11)之侧面是倾斜的。10.如申请专利范围第7项之半导体晶片,其中须选取各侧面(13)之间之距离,使一种在活性层(3)中延伸之中央光束(14)入射至凹口(11)之底部(15)。11.如申请专利范围第3项之半导体晶片,其中各凹口(11)具有侧面,其对上侧(8)形成一种斜切作用。l2.如申请专利范围第4项之半导体晶片,其中各凹口(11)具有侧面,其对上侧(8)形成一种斜切作用。13.如申请专利范围第5项之半导体晶片,其中各凹口(11)具有侧面,其对上侧(8)形成一种斜切作用。14.如申请专利范围第11项之半导体晶片,其中各侧面(13)使一种沿着活性层(3)而延伸之中央光束(14)全反射。15.如申请专利范围第11项之半导体晶片,其中各侧面(13)使一种在活性层(3)中延伸之中央光束(14)透过。l6.如申请专利范围第15项之半导体晶片,其中须选取侧面(13)之间之距离,使中央光束(14)由凹口(11)出来不需继续在半导体晶片之界面上反射即可中断。17.如申请专利范围第16项之半导体晶片,其中此凹口(11)之宽度b适合以下之关系:其中:h是活性层(3)之厚度,1,2分别是侧面(13)之法线与入射光束(14)及所透过之光束(14)之间之角度,n1,n2是活性层(13)及凹口(11)中之折射率。18.如申请专利范围第1或2项之半导体晶片,其中此活性层(3)划分成互相配置成角度之各区段(18),其上侧(8)及下侧(7)分别形成相邻之部份区(18)之侧面(13)。19.如申请专利范围第18项之半导体晶片,其中部份区(18)之上侧(8)及下侧(7)由相邻之部份区(18)之沿着活性层(3)而延伸之中央光束(14)所透过。图式简单说明:第1a,1b图传统之牛导体晶片之活性层中之光束。第1c,1d图 本发明之半导体晶片中之光束。第2图 半导体晶片之另一实施例之横切面,其中各凹口在活性层中其有倾斜之侧面。第3图 另一实施例之横切面,其中各凹口在活性层中向后切开。第4图 半导体晶片之横切面,活性层由许多互相倾斜之平面区段所组成。第5图 第3图之横切面之已放大之部份。第6至8图 本发明之半导体晶片之俯视图。 |
