发明名称 高纯度六氟化钨之精制方法
摘要 课题:利用简易且低成本,对于比知方法具更高纯度的六氟化钨之制造提供可行的高纯度六氟化钨之精制方法。解决手段:一种高纯度六氟化钨之精制方法,其特征在于:使含有六氟化钼作为不纯物的六氟化钨,与填充包含钼、钨、铜、镍、铁、钴、锌、钛、铝、钙以及镁之中至少一种的金属或是合金的一层,于0-100℃的温度相接触。
申请公布号 TW496852 申请公布日期 2002.08.01
申请号 TW089124090 申请日期 2000.11.14
申请人 史铁勒杰米华股份有限公司 发明人 菊山裕久;雅秀;藤本和之;中川佳纪
分类号 C01G42/04 主分类号 C01G42/04
代理机构 代理人 洪澄文 台北巿信义路四段二七九号三楼
主权项 1.一种高纯度六氟化钨之精制方法,其特征在于:系被精制原料的而至少含有六氟化钼作为不纯物的六氟化钨,使此六氟化钨与包含钼、钨、铜、镍、铁、钴、锌、钛、铝、钙以及镁之中至少一种的金属或是合金,于0-100℃的温度下相接触。2.如申请专利范围第1项所述的高纯度六氟化钨之精制方法,其中使前述被精制原料与粉末状及/或粒状的金属或是合金相接触。3.如申请专利范围第2项所述的高纯度六氟化钨之精制方法,其中前述粉末状及/或粒状的金属或是合金的粒径系在1毫米以下。4.如申请专利范围第1至3项之中任一项所述的高纯度六氟化钨之精制方法,其中使作为气体和液体的混合状态之前述被精制原料与金属或是合金相接触。5.如申请专利范围第1至3项之中任一项所述的高纯度六氟化钨之精制方法,其中使含有六氟化钼作为不纯物的前述六氟化钨以气态与金属或是合金相接触。6.如申请专利范围第1项所述的高纯度六氟化钨之精制方法,其中将前述粉末状及/或粒状的金属或是合金填充于填充塔内,而使空间形成于水平方向,并将空间作成被精制原料的通路。图式简单说明:第1图系表示被精制原料导入填充塔的方法之示意图。第2图系表示金属等填充至填充塔以及被精制原料导入填充塔的方法之示意图。
地址 日本