| 主权项 |
1.一种N型掺杂复晶矽的制造方法,该方法包括下列步骤:提供一晶圆;使该晶圆置于一反应室中;于该反应室中通入包括一反应气体源、一N型掺杂气体源以及一催化剂之气体源;以及进行一化学气相沈积制程,以形成一N型掺杂复晶矽薄膜。2.如申请专利范围第1项所述之N型掺杂复晶矽的制造方法,其中该反应气体源系选自二氯化矽烷、三氯化矽烷与四氯化矽所组之族群之其中之一。3.如申请专利范围第2项所述之N型掺杂复晶矽的制造方法,其中该催化剂包括硼乙烷。4.如申请专利范围第1项所述之N型掺杂复晶矽的制造方法,其中该反应气体源包括矽甲烷。5.如申请专利范围第4项所述之N型掺杂复晶矽的制造方法,其中该催化剂包括硼乙烷。6.如申请专利范围第1项所述之N型掺杂复晶矽的制造方法,其中该催化剂包括硼乙烷。7.如申请专利范围第1项所述之N型掺杂复晶矽的制造方法,其中该掺杂气体源包括磷化氢。8.一种N型掺杂复晶矽的制造方法,该方法包括下列步骤:提供一晶圆;使该晶圆置于一反应室中;于该反应室中通入一含氯矽烷、一磷化氢与用于增加沈积速率之一硼乙烷作为气体源,其中该硼乙烷之含量小于该磷化氢之含量;以及进行一化学气相沈积制程,以形成一N型掺杂复晶矽薄膜。9.如申请专利范围第8项所述之N型掺杂复晶矽的制造方法,其中该含氯矽烷系选自二氯化矽烷、三氯化矽烷与四氯化矽所组之族群之其中之一。10.一种N型掺杂复晶矽的制造方法,该方法包括下列步骤:提供一晶圆;使该晶圆置于一反应室中;于该炉管中通入包括一含氯矽烷与用于增加沈积速率之一催化剂作为气体源;进行一化学气相沈积制程,以形成一复晶矽薄膜;以及进行一N型掺质植入制程,以形成一N型掺杂复晶矽薄膜。11.如申请专利范围第10项所述之N型掺杂复晶矽的制造方法,其中该含氯矽烷系选自二氯化矽烷、三氯化矽烷与四氯化矽所组之族群之其中之一。12.如申请专利范围第10项所述之N型掺杂复晶矽的制造方法,其中该催化剂包括硼乙烷。13.如申请专利范围第10项所述之N型掺杂复晶矽的制造方法,其中该N型掺质植入制程的方法包括离子植入法。14.如申请专利范围第10项所述之N型掺杂复晶矽的制造方法,其中该N型掺质植入制程所植入之掺质包括磷离子。图式简单说明:第1图为揭示根据本发明第一实施例之N型掺杂复晶矽之制造方法剖面图。第2图为揭示根据本发明第二实施例之N型掺杂复晶矽之制造方法剖面图。 |
