| 主权项 |
1.一种表面声波元件,包括:一电极层定义成两个电极彼此指间相距;一压电层;一弹性基底层;一装置,以使该两电极连接至一电源之同一端,以使该表面声波元件在一单相模式下操作;以及一装置,以使该两电极分别连接该电源之两端,以使该表面声波元件在一交替相位模式下操作。2.如申请专利范围第1项所述之表面声波元件,其中该电极层包括一上电极层,其置于该压电层远离该基底层的一端。3.如申请专利范围第2项所述之表面声波元件,其中该电极层包括一底层电极层,其置于该压电层及该基底层之间。4.如申请专利范围第1项所述之表面声波元件,其中该已定义电极层系一底层电极层,位于该压电层以及该基底层之间,该元件更包括一上电极,其置于该压电极远离该基底层之一面上。5.如申请专利范围第3或4项所述之表面声波元件,其中该元件更包括一缓冲层介于该底层电极层以及该基底层之间。6.一种操作一表面声波元件的方法,该元件包括一电极层,其经定义成为两电极为一指间相距的排列,一压电层以及一弹性基底层,而该方法包括:连接该两电极至一电源之同一端以操作该元件于一单相模式;以及连接该两电极至该电源之两不同端以使该元件在一交替相位模式下操作。7.如申请专利范围第6项所述之方法,其中该已定义之电极层系一上电极,置于该压电层远离该基底层的一端。8.如申请专利范围第7项所述之方法,其中该元件更包括一底层电极层位于该压电层以及该基底之间。9.如申请专利范围第7项所述之方法,其中当该已定义之电极层系一底层电极,其置于该压电层以及该基底之间,该元件更包括一上电极层位于该压电层远离该基底层之一端。10.如申请专利范围第8或9项所述之方法,其中该元件更包括位于该底层电极层以及该基底层之间之一缓冲层。图式简单说明:第1图系绘示出一已知之数位相连的转换器结构的俯视图;第2A图系绘示出一具有宽约二分之一波长之导电及非导电长条的单相转换器结构之俯视图;第2B图系绘示一种ZnO/Si单相转换器之典型电场图案的示意图;第2C图系绘示一种LiNbO3单相转换器之典型电场图案的示意图;第3A图系一示意图,绘示出另一种基底,其适用于一单相/交替相位表面声波元件的制造;第3B图系一示意图,绘示出另一种适用于制造单相/交替相位表面声波元件的基底;第3C图系一示意图,绘示出又一种适用于制造单相/交替相位表面声波元件的基底;第4A图系一示意图,绘示出单相/交替相位表面声波元件之第一实施例中,单相模式的典型电场图案;第4B图系一示意图,绘示出单相/交替相位表面声波元件之第二实施例中,单相模式的典型电场图案;第5A图系一示意图,绘示出单相/交替相位表面声波元件之第一实施例中,交替相位模式的典型电场图案;第5B图系一示意图,绘示出单相/交替相位表面声波元件之第二实施例中,交替相位模式的典型电场图案;第6A图系一平面图,绘示出一实施例中之已定图案的电极,显示出在交替相位模式之操作时,该实施例中的电性连接;以及第6B图系一平面图,绘示出一实施例中之已定图案的电极,显示出在单相模式之操作时,该实施例中的电性连接。 |
