| 主权项 |
1.一种移除积体电路元件制程中所使用之罩幕(mask)的方法,该方法之步骤包括:形成一二氧化钛膜于该积体电路元件之上,以作为罩幕之用;以及藉由一含磷物质的温度变化来控制对该二氧化钛膜的蚀刻率,以选择性移除该二氧化钛膜。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该积体电路元件为一矽晶片。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中形成该二氧化钛膜之步骤包括:提供一包含一含钛物质和一酸性物质之混合物;以及将该积体电路元件置于该混合物中,以形成该二氧化钛膜于该积体电路元件之上。4.如申请专利范围第3项所述之方法,其中该含钛物质为六氟钛酸(H2TiF6)。5.如申请专利范围第4项所述之方法,其中六氟钛酸的浓度为介于0.1M与6M之间。6.如申请专利范围第3项所述之方法,其中该酸性物质系选自一种硝酸、硼酸、盐酸或其中二或三种混合物之物质。7.如申请专利范围第6项所述之方法,其中硝酸的浓度范围介于0.1M至0.5M之间。8.如申请专利范围第6项所述之方法,其中硼酸的浓度范围介于0.1M至0.5M之间。9.如申请专利范围第6项所述之方法,其中盐酸的浓度介于0.001M至2M之间。10.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该二氧化钛膜的形成系利用一液相沈积法。11.如申请专利范围第10项所述之方法,其中该二氧化钛膜之形成系在温度为介于20℃至40℃之间。12.如申请专利范围第10项所述之方法,其中该二氧化钛膜形成所需时间为介于2至30分钟之间。13.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该含磷物质为磷酸。14.如申请专利范围第13项所述之方法,其中磷酸的温度为100℃以上。15.如申请专利范围第13项所述之方法,其中磷酸的温度为介于100℃至180℃之间。16.如申请专利范围第13项所述之方法,其中磷酸的浓度为1%至85%。图式简单说明:第一图和第二图分别显示氢氟酸蚀刻二氧化钛膜之厚度变化和蚀刻率。第三图和第四图分别显示25℃冷磷酸蚀刻二氧化钛膜之厚度变化和蚀刻率。第五图和第六图分别显示P-蚀刻溶液对二氧化钛膜之蚀刻厚度变化和蚀刻率。第七图和第八图分别显示180℃之85%热磷酸蚀刻二氧化钛膜之厚度变化和蚀刻率。 |
