| 主权项 |
1.一种半导体装置之制造方法,其特征为:在半导体晶圆之表背面中之表面,在形成具电路之多数晶片形成区域之工程之后,在上述各晶片形成区域上形成突起电极之工程之前,具备在与上述各晶片形成区域对应之上述半导体晶圆之背面侧区域分别形成识别标记的工程。2.一种半导体装置之制造方法,其特征为:在半导体晶圆之表背面中之表面,在形成具电路之多数晶片形成区域之工程之后,在上述半导体晶圆分割成上述各晶片形成区域之工程之前,具备于上述各晶片形成区域再配置电极焊垫的工程,及于上述再配置之电极焊垫上形成突起电极的工程;又,于上述电极焊垫再配置工程之后,在上述突起电极形成工程之前,具备在与上述各晶片形成区域对应之上述半导体晶圆之背面侧区域分别形成识别标记的工程。3.如申请专利范围第1或2项之半导体装置之制造方法,其中上述识别标记,系于上述半导体晶圆背面藉雷射标记法(laser-marking)或喷墨标记法(ink-marking)形成。4.如申请专利范围第1或2项之半导体装置之制造方法,其中上述识别标记,系于上述半导体晶圆背面形成之标记形成层藉雷射标记法或喷墨标记法形成。5.如申请专利范围第1或2项之半导体装置之制造方法,其中上述标记形成层系由添加碳之环氧系树脂构成。6.一种半导体装置之制造方法,其特征为:在半导体晶圆之表背面中之表面,在形成具电路之多数晶片形成区域之工程之后,在上述各晶片形成区域上形成突起电极之工程之前,具备研削上述半导体晶圆之背面的工程。7.一种半导体装置之制造方法,其特征为:在半导体晶圆之表背面中之表面,在形成具电路之多数晶片形成区域之工程之后,在上述半导体晶圆分割成上述各晶片形成区域之工程之前,具备于上述各晶片形成区域再配置电极焊垫的工程,及于上述再配置之电极焊垫上形成突起电极的工程;又,于上述电极焊垫再配置工程之后,在上述突起电极形成工程之前,具备研削上述半导体晶圆之背面的工程。8.如申请专利范围第6或7项之半导体装置之制造方法,其中在研削上述半导体晶圆背面之工程之后,形成上述突起电极之工程前,具备在与上述各晶片形成区域对应之上述半导体晶圆背面侧区域分别形成识别标记的工程。9.如申请专利范围第6或7项之半导体装置之制造方法,其中上述识别标记,系于上述半导体晶圆背面藉雷射标记法(laser-marking)或喷墨标记法(ink-marking)形成。10.如申请专利范围第6或7项之半导体装置之制造方法,其中上述识别标记,系于上述半导体晶圆背面形成之标记形成层藉雷射标记法或喷墨标记法形成。11.如申请专利范围第6或7项之半导体装置之制造方法,其中上述标记形成层系由添加碳之环氧系树脂构成。12.一种半导体装置之制造方法,其特征为具备:在半导体晶圆之表背面中之表面,形成具电路之多数晶片形成区域的工程;测定上述各晶片形成区域之电路之电气特性的工程;在与上述各晶片形成区域对应之上述半导体晶圆之背面侧,形成包含上述测定工程所得上述各电路之电气特性结果等特性资讯的识别标记之工程。13.如申请专利范围第12项之半导体装置之制造方法,其中上述各晶片形成区域形成工程之后,上述识别标记形成工程之前,具备于上述各晶片形成区域再配置电极焊垫的工程。14.如申请专利范围第13项之半导体装置之制造方法,其中上述电极焊垫再配置工程之后,上述识别标记形成工程之前,具备研削上述半导体晶圆背面的工程。15.如申请专利范围第13或14项之半导体装置之制造方法,其中上述识别标记形成工程之后,具备于上述再配置之电极焊垫上形成突起电极的工程。16.如申请专利范围第15项之半导体装置之制造方法,其中上述突起电极形成工程之后,具备将上述各半导体晶圆分割成各晶片形成区域的工程。17.如申请专利范围第12项之半导体装置之制造方法,其中上述识别标记系由二次元码标记构成。18.如申请专利范围第12项之半导体装置之制造方法,其中上述识别标记,系于上述半导体晶圆背面藉喷墨标记法形成。19.如申请专利范围第12项之半导体装置之制造方法,其中上述识别标记,系于上述半导体晶圆背面形成之标记形成层藉雷射标记法或喷墨标记法形成。20.如申请专利范围第19项之半导体装置之制造方法,其中上述标记形成层系由添加碳之环氧系树脂构成。21.一种半导体装置之制造方法,其特征为具备:(1)准备具多数晶片形成区域之半导体晶圆的工程,该多数晶片形成区域,系具主面及面对上述主面的背面,于上述主面形成有积体电路及多数电极,并藉由多数区隔线予以区隔;(2)藉由研削上述半导体晶圆之背面,使上述半导体晶圆薄型化的工程;(3)于上述工程(2)之后,于上述薄型化之半导体晶圆之背面藉由雷射形成识别标记的工程;(4)于上述工程(3)之后,使位于上述半导体晶圆主面上所形成之多数电极上地形成多数突起状电极的工程;(5)于上述工程(4)之后,沿上述多数区隔线分割上述半导体晶圆,据以形成各具上述多数突起状电极之多数半导体晶片的工程。22.如申请专利范围第21项之半导体装置之制造方法,其中于上述工程(2)之后,且于上述工程(3)之前,另具于上述半导体晶圆背面形成树脂层之工程,上述识别标记系形成于上述树脂层,藉上述工程(5)使上述树脂层被分割,并形成于背面形成有上述树脂层之多数半导体晶片。图式简单说明:图1:本发明之一实施形态之半导体装置之平面图。图2:本发明之一实施形态之半导体装置之底面图。图3:本发明之一实施形态之半导体装置之重要部份断面图。图4:图3之一部分之扩大断面图。图5:本发明之一实施形态之半导体装置制造说明用流程图。图6:本发明之一实施形态之半导体装置制程中使用之半导体晶圆之平面图。图7:本发明之一实施形态之半导体装置制程中之晶圆前工程处埋说明用之半导体晶圆之平面图。图8:本发明之一实施形态之半导体装置制程中之晶圆前工程处理说明用之半导体晶圆之重要部份断面图。图9:本发明之一实施形态之半导体装置制程中之焊垫再配置层形成工程说明用之半导体晶圆之重要部份断面图。图10:本发明之一实施形态之半导体装置制程中之焊垫再配置层形成工程说明用之半导体晶圆之重要部份断面图。图11:本发明之一实施形态之半导体装置制程中之晶圆背面研削工程说明用之半导体晶圆之重要部份断面图。图12:本发明之一实施形态之半导体装置制程中之标记形成层之形成工程说明用之半导体晶圆之重要部份断面图。图13:本发明之一实施形态之半导体装置制造使用之半导体制造装置之概略构成图。图14:本发明之一实施形态之半导体装置制程中之探针检测工程说明用之斜视图。图15:本发明之一实施形态之半导体装置制程中之标记形成工程说明用之半导体晶圆之底面图。图16:本发明之一实施形态之半导体装置制程中之突起电极形成工程说明用之半导体晶圆之平面图。图17:本发明之一实施形态之半导体装置制程中之突起电极形成工程说明用之半导体晶圆之重要部份断面图。图18:本发明之一实施形态之半导体装置制程中之切片工程说明用之重要部份断面图。图19:本发明之一实施形态之半导体装置制程中之拾取工程说明用之重要部份断面图。图20:本发明之一实施形态之半导体装置制程中之治具收纳工程说明用之重要部份断面图。图21:组装有本发明之一实施形态之半导体装置的记忆模组之制造说明用流程图。图22:组装有本发明之一实施形态之半导体装置的记忆模组之断面图。图23:本发明之一实施形态之半导体装置制造使用之另一半导体制造装置之概略构成图。 |
