| 主权项 |
1.一种热处理设备的清洁方法,用来在一处理容器 中馈送清洁气体,以及移除该处理容器中的不需要 的膜,该热处理设备的清洁方法包含以下步骤: 在该处理容器的外部将该清洁气体预热;及 将被预热的该清洁气体馈送至该处理容器内,并且 将该处理容器的内部保持于一预定温度。2.如申 请专利范围第1项所述的热处理设备的清洁方法, 其中 该处理容器是在要被处理的物体的固持工具容纳 在该处理容器内的状态中被加热及保持于该预定 温度。3.如申请专利范围第1项所述的热处理设备 的清洁方法,其中 该清洁气体在该预热步骤被预热至该清洁气体的 活化温度。4.如申请专利范围第1项所述的热处理 设备的清洁方法,其中 该清洁气体在该预热步骤被预热至该清洁气体的 热解温度。5.如申请专利范围第3项所述的热处理 设备的清洁方法,其中 该清洁气体包含ClF3,并且在该预热步骤被预热至 在200℃至400℃的范围内的ClF3的活化温度。6.如申 请专利范围第4项所述的热处理设备的清洁方法, 其中 该清洁气体包含ClF3,并且在该预热步骤被预热至 在300℃至1000℃的范围内的ClF3的热解温度。7.如申 请专利范围第1项所述的热处理设备的清洁方法, 其中。 该处理容器中的该不需要的膜为与在该处理容器 中形成在要被处理的物体的表面上的膜相同种类 的膜。8.如申请专利范围第1项所述的热处理设备 的清洁方法,其中 该处理容器是由石英或SiC制成。9.一种热处理设 备的清洁方法,用来在容纳要被处理的物体的一处 理容器中馈送清洁气体,以及移除该处理容器中的 该要被处理的物体上的污染物,该热处理设备的清 洁方法包含以下步骤: 在该处理容器的外部将该清洁气体预热至该清洁 气体的活化温度;及 将被预热的该清洁气体馈送至该处理容器内,并且 将该处理容器的内部保持于一预定温度。10.如申 请专利范围第9项所述的热处理设备的清洁方法, 其中 该清洁气体包含氢氯酸,并且被加热至至少800℃的 氢氯酸的活化温度;且 该处理容器的内部被加热及保持于700℃至1000℃。 11.如申请专利范围第9项所述的热处理设备的清洁 方法,其中 该要被处理的物体上的该污染物为铁,铜,铝,及钨 的至少之一。12.一种热处理设备,包含: 一处理容器,具有要被处理的物体的固持工具; 一处理容器加热器,配置在该处理容器的外部,用 来加热该处理容器; 清洁气体馈送机构,用来将清洁气体馈送至该处理 容器内;及 一清洁气体加热器,连接于该清洁气体馈送机构, 用来在该处理容器的外部预热该清洁气体; 其中该清洁气体加热器及该处理容器加热器是由 控制机构来控制。13.如申请专利范围第12项所述 的热处理设备,其中 该要被处理的物体是由该固持工具固持;且 该清洁气体由该清洁气体加热器预热至活化温度, 使得在该要被处理的物体上的污染物被移除。14. 如申请专利范围第13项所述的热处理设备,其中 该清洁气体包含氢氯酸;且 该控制机构控制该清洁气体加热器来将该清洁气 体加热至至少800℃的活化温度,并且控制该处理容 器加热器来将该处理容器加热至700℃至1000℃。15. 如申请专利范围第13项所述的热处理设备,其中 在该要被处理的物体上的该污染物为铁,铜.铝,及 钨的至少之一。16.如申请专利范围第13项所述的 热处理设备,其中 该处理设备包含用来容纳该要被处理的物体的一 内管,以及具有覆盖该内管的一顶板的一外管;且 该清洁气体馈送机构连接于该内管。17.如申请专 利范围第12项所述的热处理设备,其中 在该清洁气体加热器的下游侧,安装有一孔口来给 予该清洁气体一流动路径阻力。图式简单说明: 图1显示本发明的第一实施例的热处理设备。 图2显示具有由石英制成的外圆筒的单管结构的热 处理设备。 图3显示另一单管结构的热处理设备。 图4显示本发明的第二实施例的热处理设备。 图5为显示本发明的第二实施例中加热器的温度与 反应管(处理容器)的温度之间的关系的表。 |
