| 主权项 |
1.一种用于解除一晶片夹持之设备,该设备至少包 含: 一具有至少一崁入崁入电极的静电夹盘; 一控制器; 一连接到该控制器及该至少一崁入电极的电源,该 电源系用于提供一解除夹持讯号至该静电夹盘;及 一与该控制器传输之记忆体,该记忆体系用于储存 并提供一被该控制器用以计算该解除夹持讯号的 残余力度(residual force metric)。2.如申请专利范围第 1项所述之设备,更包含: 一连接到该控制器之力阀用以测量该残余力度。3 .如申请专利范围第1项所述之设备,其中上述之残 余力度系由监视置于该静电夹盘与该晶片间之背 侧气体之流量变化情形而决定。4.如申请专利范 围第1项所述之设备,其中上述之残余力度系由监 视该静电夹盘与该晶片间电容之变化而决定。5. 一种在一连续维持多个工件之系统中从静电夹盘 解除每一工件夹持的方法,该方法至少包含: 使用一储存第一残余吸引力度而决定第一解除夹 持讯号; 施加该解除夹持讯号于该静电夹盘;及 移去该第一工件而测量第二残余吸引力度。6.如 申请专利范围第5项所述之方法,其中上述之决定 该第一解除夹持讯号之步骤更包含下列步骤: 决定解除夹持期间。7.如申请专利范围第5项所述 之方法,其中上述之决定该第一解除夹持讯号之步 骤更包含下列步骤: 储存该第二残余吸引力度,及 使用该第二残余吸引力度而决定第二残余解除夹 持讯号;及 解除第二该工件之夹持。8.如申请专利范围第5项 所述之方法,其中上述之移去该第一工件之步骤更 包含中和该残余吸引力。9.如申请专利范围第8项 所述之方法,其中上述之中和该残余吸引力度发生 在小于约200毫秒内。10.如申请专利范围第5项所述 之方法,更包含减少在上述之静电夹盘上累积之残 余电荷的步骤。11.如申请专利范围第10项所述之 方法,其中上述之减少该累积之残余电荷之步骤, 更包含反转解除夹持电压之极性至该第二工件之 步骤,其中上述之该第二工件系接续该第一工件之 后进行。12.一种在一连续维持一多工件之系统中 从静电夹盘解除每一该工件夹持的方法,该方法至 少包含: 决定一第一解除夹持讯号; 施加该解除夹持讯号于该静电夹盘; 移去该第一工件; 测量一实际残余吸引力度;及 提供该测量所得之残余吸引力度而用以决定一第 二解除夹持讯号。13.如申请专利范围第12项所述 之方法,其中上述之决定该第一解除夹持讯号之步 骤更包含下列步骤: 决定解除夹持期间。14.如申请专利范围第12项所 述之方法,其中上述之决定该第一解除夹持讯号之 步骤更包含下列步骤: 取回一已储存之残余吸引力度。15.如申请专利范 围第13项所述之方法,更包含藉由反转解除夹持电 压之极性至该第二工件而减少累积于该静电夹盘 之残余电荷之步骤,其中上述之该第二工件系接续 该第一工件之后进行。16.一种电脑可读取媒体,该 媒体至少包含一软体例行程序,当由一连接到一连 续维持多个工件在静电夹盘上之系统的处理器执 行时,使得该处理器操作下列步骤: 决定第一解除夹持讯号; 施加该解除夹持讯号于该静电夹盘; 移去该第一工件; 测量一实际残余吸引力度;及 提供该测量所得之残余吸引力度而用以决定一第 二解除夹持讯号。17.如申请专利范围第16项所述 之电脑可读取媒体,其中上述之决定该第一解除夹 持讯号之步骤更包含下列步骤: 决定解除夹持期间。18.如申请专利范围第16项所 述之电脑可读取媒体,其中上述之决定该第一解除 夹持讯号之步骤更包含下列步骤: 取回一已储存之残余吸引力度。19.如申请专利范 围第16项所述之电脑可读取媒体,其中上述之移走 该第一工件之步骤更包含中和该残余吸引力。20. 如申请专利范围第19项所述之电脑可读取媒体,其 中上述之中和该残余吸引力度发生在小于约200毫 秒内。21.如申请专利范围第16项所述之电脑可读 取媒体,更包含减少在上述之静电夹盘上累积之残 余电荷的步骤。22.如申请专利范围第21项所述之 电脑可读取媒体,其中上述之减少该累积之残余电 荷之步骤,更包含反转解除夹持电压之极性至该第 二工件之步骤,其中上述之该第二工件系接续该第 一工件之后进行。23.一种离子植入系统,该离子植 入系统至少包含: 一真空室; 一连接到该真空室之离子产生器; 一位于该真空室内并至少具有一电极之静电夹盘; 一控制器; 一连接到该控制器及至少一该崁入电极之电源,该 电源系用于提供一解除夹持讯号至该静电夹盘;及 一与该控制器传输之记忆体,该记忆体系用于储存 和提供该控制器用于计算该解除夹持讯号之残余 力度。24.如申请专利范围第23项所述之离子植入 系统,更包含: 一连接到该电脑用以控制该残余力度之力阀。25. 如申请专利范围第23项所述之离子植入系统,更包 含一藉由监视置于该静电夹盘与该晶片间之背侧 气体流量变化而决定该残余力度之感应器。26.如 申请专利范围第23项所述之离子植入系统,更包含 一藉由监视介于该静电夹盘与该晶片间之电容变 化而决定该残余力度之感应器。图式简单说明: 第1图为一具有在制程时保持半导体晶片于其中之 静电夹盘之半导体晶片制程系统之部分图解的剖 面图; 第2图为一第1图所描述该静电夹盘旋转于垂直位 置之半导体晶片制程系统之部分图解的剖面图;及 第3图为描述本发明方法之一流程图。 |
