| 主权项 |
1.一种电性特性评估装置,能对描述半导体内的物 理现象之物理方程式,进行数据解析,藉此抽出该 半导体元件的电性特性,并且包含: 积分値计算部者,其系透过物理方程式的数据解析 ,所得之载流子产生消灭速度为根据,针对半导体 领域内的各载流子产生消灭机制,个别进行积分, 并将积分所得的结果加以输出者。2.如申请专利 范围第1项之电性特性评估装置,其中对载流子产 生消灭速度为长度-3时间-1的次元者,进行体积分 计算,对于速度的次元为长度-2时间-1者,进行面积 分计算,对于速度的次元为长度-1时间-1者,则是进 行线积分计算,然后加以输出者。3.如申请专利范 围第1项之电性特性评估装置,其中的上述载流子 产生消灭机制为SRH过程、冲击离子化、频带间隧 道效应者。4.如申请专利范围第1项之电性特性评 估装置,其中之上述积分値计算部,系用以将各载 流子产生消灭机制的积分値,乘上电荷量后输出者 。5.如申请专利范围第1项之电性特性评估装置,其 中之上述电性特性的抽出,系反覆以不同的偏压条 件,对上述半导体元件进行者。6.一种电性特性评 估方法,能对描述半导体内的物理现象之物理方程 式,进行数据解析,藉此抽出该半导体元件的电性 特性,并且包含: 积分値计算步骤,其系透过物理方程式的数据解析 ,所得之载流子产生消灭速度为根据,针对半导体 领域内的各载流子产生消灭机制,个别进行积分, 并将积分所得的结果加以输出者。7.如申请专利 范围第6项之电性特性评估方法,其中对载流子产 生消灭速度为长度-3时间-1的次元者,进行体积分 计算,对于速度的次元为长度-2时间-1者,进行面积 分计算,对于速度的次元为长度-1时间-1者,则是进 行线积分计算者。8.如申请专利范围第6项之电性 特性评估方法,其中的上述载流子产生消灭机制为 SRH过程、冲击离子化、频带间隧道效应者。9.如 申请专利范围第6项之电性特性评估方法,其中系 将各载流子产生消灭机制的积分値,乘上电荷量后 输出者。10.如申请专利范围第6项之电性特性评估 方法,其中之上述电性特性的抽出,系反覆以不同 的偏压条件,对上述半导体元件进行者。11.一种电 性特性评估程式,能对描述半导体内的物理现象之 物理方程式,进行数据解析,藉此抽出该半导体元 件的电性特性,其系并由电脑来执行,并且包含: 积分値计算处理,其系透过物理方程式的数据解析 ,所得之载流子产生消灭速度为根据,针对半导体 领域内的各载流子产生消灭机制,个别进行积分, 将积分所得的结果加以输出者。12.如申请专利范 围第11项之电性特性评估程式,其中对载流子产生 消灭速度为长度-3时间-1的次元者,进行体积分计 算,对于速度的次元为长度-2时间-1者,进行面积分 计算,对于速度的次元为长度-1时间-1者,则是进行 线积分计算,然后加以输出者。13.如申请专利范围 第11项之电性特性评估程式,其中的上述载流子产 生消灭机制为SRH过程、冲击离子化、频带间隧道 效应者。14.如申请专利范围第11项之电性特性评 估程式,其中系将各载流子产生消灭机制的积分値 ,乘上电荷量后输出者。15.如申请专利范围第11项 之电性特性评估程式,其中之上述电性特性的抽出 ,系反覆以不同的偏压条件,对上述半导体元件进 行者。16.一种半导体元件制造方法,能对描述半导 体内的物理现象之物理方程式,进行数据解析,根 据藉此抽出该半导体元件的电性特性,决定半导体 元件的制造条件,并根据该制造条件来制造半导体 元件,同时包含: 积分値计算计算步骤,其系透过物理方程式的数据 解析,根据所得之载流子产生消灭速度,针对半导 体领域内的各载流子产生消灭机制,个别进行积分 ,并将积分所得的结果加以输出者; 及决定制造条件的步骤,其系根据上述所得之积分 値,决定制造条件,以得到具有所需电性特性的半 导体者。17.如申请专利范围第16项之半导体制造 方法,其中对载流子产生消灭速度为长度-3时间-1 的次元者,进行体积分计算,对于速度的次元为长 度-2时间-1者,进行面积分计算,对于速度的次元为 长度-1时间-1者,则是进行线积分计算,然后加以输 出者。18.如申请专利范围第16项之半导体制造方 法,其中的上述载流子产生消灭机制为SRH过程、冲 击离子化、频带间隧道效应者。19.如申请专利范 围第16项之半导体制造方法,其中系将各载流子产 生消灭机制的积分値,乘上电荷量后输出者。20.如 申请专利范围第16项之半导体制造方法,其中之上 述电性特性的抽出,系反覆以不同的偏压条件,对 上述半导体元件进行者。图式简单说明: 图1,其系一方块图,用以显示本发明实施形态之半 导体制造系统的构造者。 图2,其系一流程图,用以显示本发明实施形态之半 导体制造方法者。 图3,其系一概观图,用以显示本发明实施形态之电 性特性评估装置的构造者。 图4,用以显示半导体元件的设计资讯者。 图5A、5B,其系显示利用先前及本发明之电性特性 评估方法,所得之实验结果者。 图6A、6B,其系显示利用先前及本发明之电性特性 评估方法,所得之实验结果者。 图7A-7H,所示的是本发明明细中使用的方程式。 |
