Verfahren zur Erzeugung einer Flachgrabenisolation eines Halbleiterbauteils

摘要

Ein Verfahren zur Herstellung der STI (Flachgrabenisolation) eines Halbleiterbauteils umfaßt die Schritte: Bilden einer aktiven Maskenschicht auf dem Halbleitersubstrat, Ätzen der aktiven Maskenschicht und des Halbleitersubstrats, um mehrere Gräben herzustellen, Abscheiden einer Oxidschicht mittels HDP-CVD (hochdichte plasma-chemische Dampfabscheidung) über der aktiven Maskenschicht, um die Gräben bis zu einer Dicke zu füllen, die größer als die Tiefe der Gräben und kleiner als die Summe der Tiefe und der Dicke der aktiven Maskenschicht ist, Abscheiden einer Deckoxidschicht über der HDP-CVD-Oxidschicht mittels einer Plasmaquelle aus TEOS (Tetraethylorthosilikat) und Polieren der Deckoxidschicht und der HDP-CVD-Oxidschicht, um die aktive Maskenschicht freizulegen.