发明名称 ATOMIC-LAYER-CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION OF FILMS THAT CONTAIN SILICON DIOXIDE
摘要 본 발명은 ALCVD 방법에 의해 성장 기판 상에 실리콘 산화물을 함유하는 박막을 형성하는 방법을 제공한다. 상기 방법에서, 증발 가능한 실리콘 화합물은 상기 성장 기판에 결합되고, 상기 결합된 실리콘 화합물은 이산화규소로 전환된다. 본 발명은 적어도 하나의 유기 리간드를 함유하는 실리콘 화합물을 사용하고 상기 결합된 실리콘 화합물은 증발된 반응성 산소 소오스, 특히 오존과 접촉시킴으로써 이산화규소로 전환된다. 본 발명은 충분히 짧은 반응 시간으로 SiO를 함유하는 박막을 제어하여 성장시키는 제어된 프로세스를 제공한다.
申请公布号 KR20020063196(A) 申请公布日期 2002.08.01
申请号 KR20027006929 申请日期 2002.05.30
申请人 에이에스엠 마이크로케미스트리 오와이 发明人 아로,에바;헉카,수비;투오미넨,마르코
分类号 C23C16/42;C23C16/40;C23C16/44;C23C16/455;C30B25/02;H01L21/316 主分类号 C23C16/42
代理机构 代理人
主权项
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