| 发明名称 | 铟镓氮薄膜的快速填埋生长方法 | ||
| 摘要 | 一种铟镓氮薄膜的快速填埋生长方法,其是在氮化镓/蓝宝石复合衬底上、或在其它形式的氮化镓基化合物复合衬底上,用快速填埋方法生长铟镓氮薄膜,其特征在于,快速填埋方法是:采用较大的有机源流量将铟埋入正在生长的氮化镓薄膜中,以阻止铟的聚集和逃逸,并形成铟组份调制的量子点;同时通过生长温度、有机源流量和环境气氛来控制铟镓氮组份比例。 | ||
| 申请公布号 | CN1361554A | 申请公布日期 | 2002.07.31 |
| 申请号 | CN00136136.8 | 申请日期 | 2000.12.25 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 韩培德;刘祥林;王晓晖;陆大成 |
| 分类号 | H01L33/00;H01L21/20;H01S5/00 | 主分类号 | H01L33/00 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1、一种铟镓氮薄膜的快速填埋生长方法，其是在氮化镓/蓝宝石复合衬底上、或在其它形式的氮化镓基化合物复合衬底上，用快速填埋方法生长铟镓氮薄膜，其特征在于，快速填埋方法是：采用较大的有机源流量将铟埋入正在生长的氮化镓薄膜中，以阻止铟的聚集和逃逸，并形成铟组份调制的量子点；同时通过生长温度、有机源流量和环境气氛来控制铟镓组份比例。 | ||
| 地址 | 100083北京市912信箱 | ||