发明名称 | 半导体装置 | ||
摘要 | 提供一种半导体装置,没有Q值的劣化且可发挥良好的电磁波屏蔽效果。该半导体装置具有螺旋电感器和电磁波屏蔽层,在具有螺旋图形的螺旋电感器的上方或下方配置电磁波屏蔽层,在电磁波屏蔽层上的因螺旋电感器在螺旋图形中心产生的磁力线通过的区域上形成开口部和从该开口部延伸到周边部分的缝隙。 | ||
申请公布号 | CN1361550A | 申请公布日期 | 2002.07.31 |
申请号 | CN01144007.4 | 申请日期 | 2001.12.26 |
申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 新津阳一郎 |
分类号 | H01L23/552;H01L23/58 | 主分类号 | H01L23/552 |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王以平 |
主权项 | 1.一种半导体装置,其特征在于包括:以第一导电层形成的具有螺旋图形的螺旋电感器;和夹着绝缘膜在上述螺旋电感器的上方或下方配置的、接地或与恒压电源连接的、由第二导电层构成的电磁波屏蔽层;上述电磁波屏蔽层,在通电时因上述螺旋电感器在上述螺旋图形的中央产生的磁力线通过的区域上具有开口部。 | ||
地址 | 日本东京都 |