发明名称 | 一种半导体器件的制造方法 | ||
摘要 | 一种制造具有结晶硅膜的半导体器件的方法,它由在非晶硅膜的表面区域形成晶核和利用激光从晶核生长晶体两个步骤组成。典型的晶核是硅晶体或具有与硅晶体相同结构的金属硅化物。 | ||
申请公布号 | CN1361551A | 申请公布日期 | 2002.07.31 |
申请号 | CN01142960.7 | 申请日期 | 1995.02.03 |
申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 大谷久;宫永昭治;竹山顺一 |
分类号 | H01L27/00;G02F1/136 | 主分类号 | H01L27/00 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 郭广迅 |
主权项 | 1.一种半导体器件,其包括:基片;多个像素,每个像素包含在所述基片之上以矩阵形式排列的第一薄膜晶体管;至少一个用于驱动所述多个像素的驱动电路,其包含多个在所述基片之上形成的第二薄膜晶体管;包含多个在所述基片之上形成的第三薄膜晶体管的存储器,其中所述第一、第二和第三薄膜晶体管中的每一个包含沟道,所述沟道含有沿平行于所述基片的方向延伸的结晶硅。 | ||
地址 | 日本神奈川县 |