| 摘要 |
<p>본 발명은 반도체소자의 저장전극 형성방법에 관한 것으로, 고집적 반도체소자에서 정전용량을 증가시키기 위하여 형성되는 준안정다결정실리콘(meta-stabl poly silicon, MPS)막을 형성한 다음, 선택적 에피택셜 성장(selective epitaxial growth, SEG)막을 형성하면서 인시튜(insitu)로 인(phosphorus)을 도핑하기 때문에 도핑공정에 의해 상기 MPS막이 손상되는 것을 방지할 수 있고, 후속 세정공정에서 인이 손실되더라도 인이 도핑되어 있는 SEG막이 충분하게 형성되어 있기 때문에 소자의 특성을 저하시킬 문제가 없으며, 기존의 챔버(chamber)와 동일한 챔버타입의 장비를 사용할 수 있으므로 별도의 장비를 구비할 필요가 없고, 튜브타입(tube type)의 장비를 사용하는 경우 처리량(throughput)을 높일 수 있는 기술이다.</p> |
