| 摘要 |
<p>반도체 기판상에 절연막을 형성하고, 그리고 나서 상기 절연막상에 다수의 하층 배선들을 형성하는 단계 (A); 오버행 (Overhang) 형상을 가진 제 1 절연막을 PECVD 방법을 사용하여, 상기 하층 배선들 및 상기 절연막의 표면을 덮도록 형성하는 단계 (B); 회전 도포 방법을 사용하여 상기 제 1 절연막상에 유기함유 도포 절연막을 형성하는 단계 (C); 상기 유기함유 도포 절연막을 소성 (Baking) 하는 단계 (D); 건식 식각 방법을 사용하여 상기 유기함유 도포 절연막의 일부를 에치-백하는 단계 (E); PECVD 방법을 사용하여 상기 유기함유 도포 절연막 및 상기 제 1 절연막상에 제 2 절연막을 형성하는 단계 (F); 표면을 평탄화하기 위해 화학적 기계적 연마 방법을 사용하여 상기 제 2 절연막을 연마하는 단계 (G); 상기 제 1 절연막 및 상기 제 2 절연막의 소정의 부분을 식각하여 하층 배선에 이르는 홀 (Hole) 을 형성하는 단계 (H); 및 상기 홀에 금속 물질을 채워넣는 단계 (I) 를 구비하는 반도체 장치를 제조하는 방법이 개시된다.</p> |
