METHOD AND STRUCTURE FOR SURFACE STATE PASSIVATION TO IMPROVE YIELD AND RELIABILITY OF INTEGRATED CIRCUIT STRUCTURES

摘要

게이트 유전체 층을 갖는 게이트 도체를 포함하는 집적 회로에서 표면 상태를 패시베이션(passivation)하기 위한 방법은 고상 불소 공급원(solid state source)을 게이트 유전체 층에 근접하게 제조하는 단계를 포함한다. 또한, 집적 회로 구조물은 상부에 게이트 유전체 층을 가진 기판과 이 기판상의 게이트 유전체 층 상부에 놓인 게이트 도체를 포함한다. 게이트 도체는 에지(edge)와 게이트 유전체 층에 근접한 고상 불소 공급원을 포함한다.