Herstellungsverfahren für eine integrierte Schaltung

摘要

Die vorliegende Erfindung schafft ein Herstellungsverfahren für eine integrierte Schaltung mit den Schritten: Bereitstellen eines Halbleitersubstrats (1) mit einem zu kontaktierenden Schaltungsbereich (SS); Vorsehen einer Isolationsschicht (IS) auf der Oberfläche des Halbleitersubstrats (1); Vorsehen eines Kontaktlochs (KL) in der Isolationsschicht (IS) zum Kontaktieren des Schaltungsbereichs (SS); Vorsehen eines isolierenden Spacerbereichs (10') zumindest im oberen Bereich des Kontaktlochs (KL); Vorsehen von mindestens drei Leitungsgräben (BG1; BG2; BG3), von denen ein erster Leitungsgraben (BG1) benachbart zum Kontaktloch (KL), ein zweiter Leitungsgraben (BG2) durch das Kontaktloch (KL) und ein dritter Leitungsgraben (BG3) benachbart zum Kontaktloch (KL) verläuft, wobei der Spacerbereich (10') zwischen der zwischen dem ersten und dem zweiten Leitungsgraben (BG1; BG2) und dem zweiten und dem dritten Leitungsgraben (BG2; BG3) belassen wird; Auffüllen der Leitungsgräben (BG1; BG2; BG3) mit einem Leitungsmaterial; und chemisch-mechanisches Polieren des Leitungsmaterials zum Erzeugen dreier getrennter Leitungen (BL1; BL2: BL3).