| 发明名称 |
METAL HARD MASK FOR ILD RIE PROCESSING OF SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES TO PREVENT OXIDATION OF CONDUCTIVE LINES |
| 摘要 |
memory array integrated circuit (200) using a hard mask (244) and reactive ion etching (RIE). Using a hard mask (244) prevents oxidation of underlying conductive lines (210).
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| 申请公布号 |
US2002098676(A1) |
申请公布日期 |
2002.07.25 |
| 申请号 |
US20010824596 |
申请日期 |
2001.04.02 |
| 申请人 |
NING XIAN J.;NUETZEL JOACHIM |
发明人 |
NING XIAN J.;NUETZEL JOACHIM |
| 分类号 |
H01L21/033;H01L21/8246;H01L27/22;(IPC1-7):H01L21/476 |
主分类号 |
H01L21/033 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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