| 发明名称 |
Integrated circuit having both low voltage and high voltage mos transistors and method of making |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
AU750612(B2) |
申请公布日期 |
2002.07.25 |
| 申请号 |
AU19980089451 |
申请日期 |
1998.10.21 |
| 申请人 |
TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED |
发明人 |
SUNIL V HATTANGADY;GEORGE R MISIUM |
| 分类号 |
H01L21/8234;H01L27/088;(IPC1-7):H01L21/328;H01L21/82;H01L21/824 |
主分类号 |
H01L21/8234 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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