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Die Erfindung ist gerichtet auf einen magnetoresistiven Speicher mit einer Anordnung von in einer Mehrzahl von Reihen und/oder einer Mehrzahl von Spalten angeordneten magnetoresistiven Speicherzellen (3a, b, c, d) mit einem Widerstand und einer Diodenfunktion; einer Bitleitung (4a, b) für jede der Spalten, die mit ersten Polen der zu der Spalte gehörenden Speicherzellen (3a, b, c, d) verbunden ist; einer Wortleitung (5a, b) für jede der Reihen, die mit zweiten Polen der zu der Reihe gehörenden Speicherzellen (3a, b, c, d) verbunden ist; und einer ersten Lesespannungsquelle (U1) mit einer ersten Spannung, die mit ersten Enden der Wortleitungen durch Schaltelemente (6a, 6b, 17) einzeln verbindbar ist. Die Erfindung ist gekennzeichnet durch eine Regelschaltung (1) mit einem ersten Pol, welcher über einen Leseverteiler (14) durch Schaltelemente (8a, 8b) mit ersten Enden der Bitleitungen (4a, 4b) einzeln verbindbar ist; einem zweiten Pol, welcher Strom in einen Bewerter (2) einspeist; und einem dritten Pol, welcher mit einer Referenzspannungsquelle (U5) verbunden ist; eine dritte Spannungsquelle (U3) mit einer Spannung, die in etwa gleich der Spannung der ersten Lesespannungsquelle (U1) ist und welche über Schaltelement (9a, 9b) mit zweiten Enden der Bitleitungen (4a, 4b) einzeln verbindbar ist; und eine vierte Spannungsquelle (U4), welche über Schaltelemente (7a, 7b) mit zweiten Enden der Wortleitungen (5a, 5b) einzeln verbindbar ist. Die Erfindung ist weiterhin dadurch ...
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