Halbleiterspeichervorrichtung

摘要

Eine Speicherzelle eines SRAMs weist einen vollständigen CMOS-Zellenaufbau mit aufeinanderfolgend ausgerichteten drei Wannen unterschiedlicher Leitungstypen auf und beinhaltet erste und zweite Kontaktlöcher, die sich von Orten oberhalb des ersten und zweiten Gates (3 und 4) zu Orten auf einer Dotierungsregion eines vorbestimmten MOS-Transistors erstrecken und in einer sich selbst ausrichtenden Weise bezüglich des ersten und zweiten Gates (3 und 4) ausgebildet sind. Weiterhin weist die Speicherzelle erste und zweite lokale Verbindungen (7 und 8) auf, die in den Kontaktlöchern ausgebildet sind.