Method of forming interlayer dielectric layer using high density plasma oxide in semiconductor device

摘要

본 발명은 고밀도 플라즈마 산화막 증착시 하부층의 들뜸 현상을 억제하기 위하여 하부층 상에 얇은 스트레스 완충용 고밀도 플라즈마 산화막을 증착하는 기술이다. 이때, 스트레스 완충용 고밀도 플라즈마 산화막은 바이어스 파워를 낮춘 상태에서 증착되므로 하부층에의 이온 밤바드먼트 성향을 저감시킬 수 있으며, 100Å 내외의 두께로 증착되므로 전체 산화막의 갭필링 특성에는 큰 장애가 되지 않는다. 이후 바이어스 파워를 정상치로 증가시켜 통상의 고밀도 플라즈마 산화막을 증착한다. 또한, 본 발명은 분위기 가스로서 기존의 Ar 가스를 대신하여 헬륨(He) 가스를 사용한다. He 이온은 Ar 이온에 비해 질량이 작기 때문에 이온 밤바드먼트 성향을 저감시킬 수 있다. 다만, 하부층이 질화막일 경우, He 가스를 사용하게 되면 Ar 가스 사용시에 비해 질화막에 대한 접착력이 떨어지기 때문에 이를 보완하기 위하여 고밀도 플라즈마 산화막 증착에 앞서 Ar 가스 분위기에서 열처리를 실시한다. 이러한 기술은 경우에 따라서 스트레스 완충용 고밀도 플라즈마 산화막을 사용하는 기술과 함께 적용하는 것이 가능하다.