LATERAL RF MOS DEVICE WITH IMPROVED BREAKDOWN VOLTAGE,申请号EP20000974115-传众专利搜索

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发明名称	LATERAL RF MOS DEVICE WITH IMPROVED BREAKDOWN VOLTAGE
摘要
申请公布号	EP1224700(A1)	申请公布日期	2002.07.24
申请号	EP20000974115	申请日期	2000.09.14
申请人	XEMOD, INC.	发明人	D'ANNA, PABLO, E.
分类号	H01L29/78;H01L21/8234;H01L27/088;H01L29/08;H01L29/417;H01L29/45;(IPC1-7):H01L29/00	主分类号	H01L29/78
代理机构		代理人
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