| 发明名称 | 采用锗或锑预无定形注入及清洗的钛硅化物方法 | ||
| 摘要 | 一种采用锗或锑预无定形注入及清洗硅化物的方法,包括如下步骤;步骤1:在源/漏结形成后、溅钛前,对整个硅片采用锗或锑的预无定形注入的方法来促进相转移;步骤2:溅钛前,对硅片进行清洗处理;步骤3:溅钛前进行真空腔内预退火处理;步骤4:进行薄钛－自对准硅化物工艺。 | ||
| 申请公布号 | CN1360341A | 申请公布日期 | 2002.07.24 |
| 申请号 | CN00135750.6 | 申请日期 | 2000.12.19 |
| 申请人 | 中国科学院微电子中心 | 发明人 | 徐秋霞;钱鹤;柴淑敏;邢小平 |
| 分类号 | H01L21/28 | 主分类号 | H01L21/28 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1、一种采用锗或锑预无定形注入及清洗硅化物的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：在源/漏结形成后、溅钛前，对整个硅片采用锗或锑的预无定形注入的方法来促进相转移；步骤2：溅钛前，对硅片进行清洗处理；步骤3：溅钛前进行真空腔内预退火处理；步骤4：进行薄钛—自对准硅化物工艺。 | ||
| 地址 | 100029北京市德外祁家豁子 | ||