| 发明名称 | 脊形波导半导体激光二极管及其制作方法 | ||
| 摘要 | 提供了一种脊形波导半导体激光二极管及其制作方法。在半导体激光二极管中,其垂直于有源层的脊形突起部分制作在发生受激发射的第一和第二材料层之一上,第一和第二材料层分别形成在有源层的上面和下面,其折射率低于有源层,半导体激光二极管经脊形部分与一个电极接触,其中的脊形部分的侧面至少做成不同梯度的两部分。 | ||
| 申请公布号 | CN1360377A | 申请公布日期 | 2002.07.24 |
| 申请号 | CN01124564.6 | 申请日期 | 2001.08.10 |
| 申请人 | 三星电机株式会社 | 发明人 | 郭准燮;赵济熙 |
| 分类号 | H01S5/22 | 主分类号 | H01S5/22 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种半导体激光二极管，其垂直于有源层的脊形突起部分制作在发生受激发射的第一和第二材料层之一上，第一和第二材料层分别形成在有源层的上面和下面，其折射率低于有源层，半导体激光二极管经脊形部分与一个电极接触，脊形部分的侧面至少做成不同梯度的两部分。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||